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[求助] MOS管的速度饱和

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发表于 2010-5-18 10:18:31 | 显示全部楼层 |阅读模式

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各位高手,小弟最近新看sansen的模拟集成电路设计精粹。

第一章中里面讲在Vgs-Vth>0.5以上的区域,会发生速度饱和。Vgs上升会使ids上升,但gm不变。

因此不要将MOS偏置在速度饱和区。

gm的定义是Vgs决定ids的能力,既然ids上升了,gm怎么会不变呢?

求教各位高手,谢谢
发表于 2010-5-18 11:51:34 | 显示全部楼层
y=kx,x增大,y增大,但是k不变。
发表于 2010-5-18 17:10:27 | 显示全部楼层
gm考量的是ids随vgs变化的变化速度
发表于 2010-5-18 20:32:54 | 显示全部楼层
速度饱和是指:在短沟道器件中,载流子的速度并不随着电场的增加而增大,在一定的电场下趋于一个定值,这叫载流子速度饱和。
你可以看看半导体物理里面的载流子 迁移率这个章节。 :)
 楼主| 发表于 2010-5-19 09:10:44 | 显示全部楼层
这个我已经想明白了,谢谢大家。

我现在疑惑的是sansen书上强调了很多次Vgs的选取。他认为Vgs-Vt一般只在0.2-0.5这个范围内。

小于0.2在弱反型区,大于0.5则速度饱和。

弱反型区我还了解点,速度饱和这个的确在半导体物理中有学过,可是模拟IC设计中很少考虑到啊。

其他几本经典教材里提到这一点的也很少。

可是按sansen书上的说法,这个0。2-0.5之间只有0.3的变化范围。太小了吧。
发表于 2010-5-19 09:12:18 | 显示全部楼层


这个我已经想明白了,谢谢大家。

我现在疑惑的是sansen书上强调了很多次Vgs的选取。他认为Vgs-Vt一般只在0.2-0.5这个范围内。

小于0.2在弱反型区,大于0.5则速度饱和。

弱反型区我还了解点,速度饱和这个的 ...
fengxing9999 发表于 2010-5-19 09:10


尽信书,不如无书。设计中自己灵活掌握。
发表于 2010-5-19 18:43:19 | 显示全部楼层
载流子速度饱和只是在短沟道器件的时候才会考虑,一般情况下,以我国的模拟电路设计水平,现在还考虑的不多,书上的东西当然还是要偏理论一点。自己找个模型仿真仿真就知道了。我记得是10E5V/CM以上沟道电场强度才考虑这个事情
发表于 2011-3-17 20:24:08 | 显示全部楼层
学习学习!
发表于 2011-3-18 09:26:18 | 显示全部楼层
回复 5# fengxing9999

As a matter of fact, Paul. R. Gray's textbook also mentioned this phenomenum, but in a slightly different fashion.
Refer to chapter 1, page 62 of the famous textbook "Analysis and Design of Analog Integrated Circuits, 5th edition,"

... In contrast to the square-law behavior predicted by (1.157), (1.224) shows that the drain current is linear function of the overdrive (Vgs - Vt) when the carrier velocity saturates.
发表于 2011-3-18 09:31:07 | 显示全部楼层
速度饱和效应也得看VDS跟VGS和VT之间的关系吧。
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