请问一下layout中poly resisitor的guard ring的画法

soulhenry · 发表于 2010-5-12 19:08:26

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大家好。有个问题请教，还望大虾解惑。

在layou中，现在用到poly电阻。关于如何在poly 电阻外加gurad ring，有些困惑。

现在我自己用的是pdiff接地，包围一圈。不知道这样行不行？两边各有dummy。如果不行，为什么？
另外看到别人的芯片是用一圈poly，悬空做为保护环。这种有什么好处吗？悬空的poly会不会积累很多电荷。而对电阻有影响呢？
baidu了网上的，有人的说法是：
在poly/diff 电阻下面增加nwell　减轻noise　对电阻的影响，nwell连接高电位与sub反偏。Nwell电阻四周加sub cont　连接VSS。Nwell电阻为了降低光照使电阻阻值下降的影响，在上面覆盖metal并连接高电位。其次为给nwell电阻足够的margin　通常nwell宽度5-6um。

现在不知道上面的那种比较实用？处于什么考虑。如果考虑电阻的噪声，又有什么不同的考虑？
望大虾指点一二。谢谢。

soulhenry · 发表于 2010-5-12 19:15:46

怎么没有人回答啊。自己顶起。

goodsilicon · 发表于 2010-5-13 09:22:48

在poly/diff 电阻下面增加nwell　减轻noise　对电阻的影响，nwell连接高电位与sub反偏。Nwell电阻四周加sub cont　连接VSS。Nwell电阻为了降低光照使电阻阻值下降的影响，在上面覆盖metal并连接高电位。其次为给nwell电阻足够的margin　通常nwell宽度5-6um。

这个靠谱。。。