请问一下layout中poly resisitor的guard ring的画法

soulhenry · 发表于 2010-5-12 19:08:26

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大家好。有个问题请教，还望大虾解惑。

在layou中，现在用到poly电阻。关于如何在poly 电阻外加gurad ring，有些困惑。

现在我自己用的是pdiff接地，包围一圈。不知道这样行不行？两边各有dummy。如果不行，为什么？
另外看到别人的芯片是用一圈poly，悬空做为保护环。这种有什么好处吗？悬空的poly会不会积累很多电荷。而对电阻有影响呢？
baidu了网上的，有人的说法是：
在poly/diff 电阻下面增加nwell　减轻noise　对电阻的影响，nwell连接高电位与sub反偏。Nwell电阻四周加sub cont　连接VSS。Nwell电阻为了降低光照使电阻阻值下降的影响，在上面覆盖metal并连接高电位。其次为给nwell电阻足够的margin　通常nwell宽度5-6um。

现在不知道上面的那种比较实用？处于什么考虑。如果考虑电阻的噪声，又有什么不同的考虑？
望大虾指点一二。谢谢。

soulhenry · 发表于 2010-5-12 19:15:46

怎么没有人回答啊。自己顶起。

goodsilicon · 发表于 2010-5-13 09:22:48

在poly/diff 电阻下面增加nwell　减轻noise　对电阻的影响，nwell连接高电位与sub反偏。Nwell电阻四周加sub cont　连接VSS。Nwell电阻为了降低光照使电阻阻值下降的影响，在上面覆盖metal并连接高电位。其次为给nwell电阻足够的margin　通常nwell宽度5-6um。

这个靠谱。。。

soulhenry · 发表于 2010-5-13 11:58:11

谢谢楼上的提示，不过能不能说说业界的通用做法呢？

minch · 发表于 2010-5-13 12:25:47

1# soulhenry

Substrate Noise很大么？如果加NWELL，还要TUB，这样面积比较大！

一般是Poly两侧加dummy或者用Poly围一圈；最好不要float，连Poly电阻的一侧就好！如果真担心Noise，在下面画Pgate然后连到无noise的电压。

soulhenry · 发表于 2010-5-13 20:00:56

5#
现在采用的是用poly围一圈。我的poly采用ploy_M1 contact，用M1连接到VSS，这样的话应该可以吧。

minch · 发表于 2010-5-13 23:14:39

6# soulhenry

可以！

zrzf23 · 发表于 2010-8-6 16:05:11

guard ring

HanGu · 发表于 2010-8-6 16:49:17

1# soulhenry

你说的第二点那一圈 poly 是 dummy，不是 guardring.

14425324 · 发表于 2010-8-6 20:15:37

有dummy有guard ring一般就够了吧，太复杂了

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