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[求助] 请教仿过运放的老手关于调两级运放的问题

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发表于 2010-5-8 21:11:49 | 显示全部楼层 |阅读模式

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最近在仿一个运放,在满足GBW和相位裕度的情况下,增益一直上不去,调了好久都只是在50~60dB之间徘徊,Allen书上讲的提高宽长比,减小尾电流的方法都尝试过,效果不明显,不知道各位有没有什么建议.
      用的是IBM .13um的库,电源电压1.5V,沟道长度1um,运放的结构是经典的两级运放,p管差分输入,单端输出,带米勒补偿和调零电阻,负载电容1pF,指标是Gain>70dB,PM>70度,GBW=100MHz,其它指标不做限定
发表于 2010-5-8 21:34:57 | 显示全部楼层
您不贴一个图上来看看,或是你的网表?
btw,ibm,0.13um的tox是多少啊
发表于 2010-5-8 21:40:53 | 显示全部楼层
建议用3.3V的管子试一下,应该就能做到了
 楼主| 发表于 2010-5-8 21:46:07 | 显示全部楼层
本帖最后由 shadow_cuk 于 2010-5-8 21:57 编辑

回二楼tox=3.12e-9,手算的时候,Kn大概是95u,Kp大概465u,很郁闷添加不了附件


                               
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点评

上传的图不对劲  发表于 2021-4-19 09:22
发表于 2010-5-8 21:51:34 | 显示全部楼层
4# shadow_cuk

首先确定你的管子都在饱和区,
1尝试增加T5,6,7的L
2减少电流
 楼主| 发表于 2010-5-8 22:10:44 | 显示全部楼层
回三楼  指标要求要用1.5V电压
回五楼  我调下试试
发表于 2010-5-9 12:17:04 | 显示全部楼层
回复6楼
1.5V的电压不代表不能用3.3V的管子。
这个工艺我用过,用3.3V能够有效增加ron,我们都是这样做的
 楼主| 发表于 2010-5-9 13:34:32 | 显示全部楼层
回7楼,为啥3.3V的管子ron会提高呢,,IBM的库里面有普通的fet,还有lvtfet,lpfet,zvtfet等等,选择什么样的管子有什么诀窍么
发表于 2010-5-9 14:12:18 | 显示全部楼层
其实主要是3.3V的管子是厚氧化层(52A),1.2V的管子是薄氧化层(22A)
你所提到的lvtfet,lpfet,zvtfet,分别是low vth, low power(high vth), zero vth。
这些管子往往有要单独付费的mask层,你要看你是否允许用了
发表于 2010-5-9 14:14:04 | 显示全部楼层
另外,图中T3,T4的P管的衬底最好接在vdd上。
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