请教仿过运放的老手关于调两级运放的问题

shadow_cuk · 发表于 2010-5-8 21:11:49

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最近在仿一个运放,在满足GBW和相位裕度的情况下,增益一直上不去,调了好久都只是在50~60dB之间徘徊,Allen书上讲的提高宽长比,减小尾电流的方法都尝试过,效果不明显,不知道各位有没有什么建议.
用的是IBM .13um的库,电源电压1.5V,沟道长度1um,运放的结构是经典的两级运放,p管差分输入,单端输出,带米勒补偿和调零电阻,负载电容1pF,指标是Gain>70dB,PM>70度,GBW=100MHz,其它指标不做限定

bitcat · 发表于 2010-5-8 21:34:57

您不贴一个图上来看看，或是你的网表？
btw，ibm，0.13um的tox是多少啊

moorehuang · 发表于 2010-5-8 21:40:53

建议用3.3V的管子试一下，应该就能做到了

shadow_cuk · 发表于 2010-5-8 21:46:07

本帖最后由 shadow_cuk 于 2010-5-8 21:57 编辑

回二楼tox=3.12e-9,手算的时候,Kn大概是95u,Kp大概465u,很郁闷添加不了附件

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bitcat · 发表于 2010-5-8 21:51:34

4# shadow_cuk

首先确定你的管子都在饱和区，
1尝试增加T5，6，7的L
2减少电流

shadow_cuk · 发表于 2010-5-8 22:10:44

回三楼指标要求要用1.5V电压
回五楼我调下试试

moorehuang · 发表于 2010-5-9 12:17:04

回复6楼
1.5V的电压不代表不能用3.3V的管子。
这个工艺我用过，用3.3V能够有效增加ron，我们都是这样做的

shadow_cuk · 发表于 2010-5-9 13:34:32

回7楼,为啥3.3V的管子ron会提高呢,,IBM的库里面有普通的fet,还有lvtfet,lpfet,zvtfet等等,选择什么样的管子有什么诀窍么

moorehuang · 发表于 2010-5-9 14:12:18

其实主要是3.3V的管子是厚氧化层（52A），1.2V的管子是薄氧化层（22A）
你所提到的lvtfet,lpfet,zvtfet，分别是low vth, low power(high vth), zero vth。
这些管子往往有要单独付费的mask层，你要看你是否允许用了

moorehuang · 发表于 2010-5-9 14:14:04

另外，图中T3,T4的P管的衬底最好接在vdd上。

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