为什么使用PTAT电流

ruixi · 发表于 2010-4-26 22:02:42

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在很多电路设计中都用到PTAT电流，请教各位前辈为什么不用不随温度变化的偏置电流
而使用PTAT呢，使用PTAT有那些考虑，比如对运放、比较器等的性能有什么影响？

icdreamer · 发表于 2010-4-26 22:58:25

不随温度变化的偏置电流是通过与绝对温度成正比电流和成反比电流组合而成的

widlarfan · 发表于 2010-4-27 07:57:46

hit books.

gggsilicon · 发表于 2010-4-27 09:09:22

本帖最后由 gggsilicon 于 2010-4-27 16:01 编辑

不随温度变化的偏置电流是通过与绝对温度成正比电流和成反比电流组合而成的
icdreamer 发表于 2010-4-26 22:58

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这个没错，只是有点答非所问。

运放里会有些考虑：
1.通常，我们希望运放的带宽不随温度变化，GBW=gm/Cc或gm/CL。而运放的输入通常偏置在亚阈值，或接近亚阈值区。这时gm正比于Ibias/V_T，V_T=kT/q，如果Ibias正比于T，那么gm与温度无关，则GBW与温度无关。

2. 在class AB运放中，输出级的极点为gm/C，没有信号时的输出管子也是处于亚阈值区。同上，如果Ibias正比于T，则gm恒定，从而输出极的极点恒定。这个极点通常是第一非主极点，有利于系统稳定。

其他的，不知道了。

sjxu007 · 发表于 2010-4-27 09:17:44

温度检测就需要PTAT

kuohsi · 发表于 2010-4-27 10:02:47

gggsilicon真是牛人

stoneduan · 发表于 2010-4-27 14:49:31

这个没错，只是有点答非所问。

运放里会有些考虑：
1.通常，我们希望运放的带宽不随温度变化，GBW=gm/Cc或gm/CL。而运放的输入通常偏置在亚阈值，或接近亚阈值区。这时gm正比于Ibias/V_T，V_T=kT/q，如果Ibias ...
gggsilicon 发表于 2010-4-27 09:09

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2 中的极点不是gm/RL吧

goodsilicon · 发表于 2010-4-27 16:00:22

2 中的极点不是gm/RL吧
stoneduan 发表于 2010-4-27 14:49

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sorry,是gm/CL，量纲都错了。其实说CL也不合适，就说C好了。

改过来了。。。

dikedisk · 发表于 2010-5-1 19:27:26

学习了

luting6666 · 发表于 2011-1-25 10:56:21

inverse-PTAT current sources如何产生？

[求助] 为什么使用PTAT电流

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