S/H中的放大器设计

sean_4413

驱动0.5pF电容，采用下图所示的folded cascode结构，怎样设计才能使gain=75dB,GBW=400MHz。

这种结构增益能达到75dB么？

alvays

我怎么感觉非常困难呢？
带宽要高，第一级的跨倒要很高，同时DC增益要高，那么第二级的输出电阻要高，电流只能很小。这样对于0.5pf的负载，用在s/h中，slew rate不会够。

不知道有没有高手？

sean_4413

顶起，求高手

gggsilicon

我怎么感觉非常困难呢？
带宽要高，第一级的跨倒要很高，同时DC增益要高，那么第二级的输出电阻要高，电流只能很小。这样对于0.5pf的负载，用在s/h中，slew rate不会够。

不知道有没有高手？
alvays 发表于 2010-4-26 18:25

                               
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1，增益不够可以加gain boost；
2，带宽不算很高，带0.5pF，适当的电流应该没问题；
3，管子的尺寸要选择合适，使非主极点远离GBW，PMOS输入似乎更好些，看个人爱好。
4，slew rate够不够，要看系统要求的setting time是多少；
5，这种结构就是一级运放，不宜称为第一级，第二级，容易误导。
6，总之，如果不是0.13um,1.2V供电，这个设计问题不大。

sean_4413

1，增益不够可以加gain boost；
2，带宽不算很高，带0.5pF，适当的电流应该没问题；
3，管子的尺寸要选择合适，使非主极点远离GBW，PMOS输入似乎更好些，看个人爱好。
4，slew rate够不够，要看系统要求的setti ...
gggsilicon 发表于 2010-4-27 08:52

                               
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谢谢你的回复
如果不加gainboost呢？因为我也看了不少资料，好像别人的S/H放大器的设计就是这样的结构，那用smic 0.35的工艺可以达到75dB么？

hammilton126

.35的工艺gainboost达到75db是肯定没问题的，通常gainboost的增益可以达到100db以上
小弟最近也在做相关的内容，但corner仿真一直过不了
用的是1.8v的供电，.18的工艺，（我的电压裕量都有留100mv以上）
在tt下可以工作，但换个工艺角就不行了，求高手指教

hammilton126

folded cascoded想要达到75db有点困难吧，建议用gainboost

goodsilicon

.35的工艺gainboost达到75db是肯定没问题的，通常gainboost的增益可以达到100db以上
小弟最近也在做相关的内容，但corner仿真一直过不了
用的是1.8v的供电，.18的工艺，（我的电压裕量都有留100mv以上）
在tt下可 ...
hammilton126 发表于 2010-4-27 13:24

                               
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啥叫换个工艺角就不行了？

hammilton126

就是仿真时用另外一个工艺角就有管子进入线性区

goodsilicon

用电流镜产生的bias作偏置，不要像楼主这样用电压偏置。。。

都是 razavi 给害的。。。。