为什么PMOS的阈值电压要高于NMOS

cuizehan · 发表于 2010-4-1 00:11:28

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本帖最后由 cuizehan 于 2010-4-1 10:51 编辑

下面是HSPICE仿真的代码

.opt scale=0.1u * Set lambda

mp drainp gatep Vdd Vdd pch l=2 w=20 ad=100 pd=20 as=100 ps=20
mn drainn gaten Gnd Gnd nch l=2 w=8 ad=40 pd=8 as=40 ps=8

仿真结果显示P管的阈值电压要高于N管，请问是为什么？

xin123 · 发表于 2010-4-6 20:16:04

等待N人回答

richardxie · 发表于 2010-4-8 12:53:42

我也一直想知道

lovinamy · 发表于 2010-4-10 00:53:59

你可以去看看RAZAVI的CMOS教材，里面有关于阈值电压的推导过程。由于阈值电压与MOS器件的氧化层电容，掺杂率等参数有很大关系，而PMOS与NMOS在这些参数上有些差异，故而导致了他们阈值电压绝对值大小不同的区别。

nfl2c · 发表于 2010-4-19 15:20:57

看看工艺

rfzheng · 发表于 2010-4-19 17:26:35

阈值电压和以下几个因素有关：栅电极材料类型，栅氧化层厚度，衬底掺杂浓度，栅氧化层层中的电荷密度等相关，一般工艺中N/P MOS的栅氧化层厚度tox都是相同的，栅电极材料类型也相同，栅氧化层层中的电荷密度也相同，但是衬底浓度却不一样，NMOS直接做在Psub外延P-epi上面，而PMOS 做在P-epi的NWELL上面，所以NWELL的杂志浓度比P-epi跟大一些，衬底浓度越大，对应MOS管的阈值电压也越大，所以一般PMOS的阈值电压都要比NMOS要更大一些。

microuser · 发表于 2010-4-19 20:56:33

顶楼上！

vpgpu · 发表于 2010-4-20 09:08:01

学习了，感谢6#的解析

wqx123456 · 发表于 2010-5-21 18:19:52

我理解的是阈值电压与宽长比有关，宽长比越大阈值电压越大，不知道对不对啊？？？

jfxyl · 发表于 2010-5-21 23:55:50

宽长比越大，RON越小，和阈值电压无必然联系

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