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查看: 5423|回复: 9

[求助] 如何仿真eeprom存储单元

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发表于 2010-3-22 20:03:15 | 显示全部楼层 |阅读模式

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厂家提供了擦除和编程两种的spice模型,
现在我想用hspice仿真看一下1 bit单元分别存‘1’和‘0’时候的特性,但是不知道如何仿真,哪位兄弟能告知一下仿真的方法或者思路,不尽感激。
发表于 2010-3-23 09:22:22 | 显示全部楼层
厂家都提供model了,你为啥不能仿?你只要在各个端扫描电压,就能看到I-V曲线了呀。WL=VDD
 楼主| 发表于 2010-3-23 17:00:36 | 显示全部楼层
谢谢楼上
之前我的思路不对
你说的I-V曲线应该就是能说明存‘0‘或者存‘1’了,因为编程和擦除时考改变存储管的Vth来实现的
不知道理解的对不对
发表于 2012-3-6 22:45:54 | 显示全部楼层
大哥能传给我一下eeprom的仿真模型吗,最近苦于没有模型。先谢谢了。
huaerdiaolingdexin@163.com
发表于 2012-3-7 09:25:28 | 显示全部楼层
回复 3# bluedevil2005


    好像不是这样的。从EEPROM的读出电路的输出端看每个比特是否写了零和一才是根本的验证。在仿真中是没有办法把一个器件的模型从擦写模型变成编程模型的,即便是用Spctre的Alter或者Altergroup语句,这样做起事业达不到系统验证的目的。我们在研发EEPROM的时候是有遵循一个完整的验证方法的。
发表于 2012-7-20 22:40:02 | 显示全部楼层
回复 4# 天牛不唱歌


    路过 学习一下
发表于 2012-7-21 14:22:46 | 显示全部楼层
回复 4# 天牛不唱歌


    同求MODEL。为这烦着呢。
发表于 2014-9-11 16:37:49 | 显示全部楼层
同求model哈
发表于 2014-10-15 19:30:46 | 显示全部楼层
no results !
发表于 2018-3-3 23:21:10 | 显示全部楼层
同求model哈
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