40v输入集成功率管的降压芯片，

allentel · 发表于 2010-4-9 13:42:27

本帖最后由 allentel 于 2010-4-9 13:46 编辑

一般不用hvpmos来做，而用ldnmos的vds来挡40V高压。
上图中除了M1、M2，其他均可以用LV来做。

mycelldevice · 发表于 2010-4-9 14:55:39

我感觉可以不用下面的偏置。

allentel · 发表于 2010-4-9 15:01:00

下面是可以控制速度的。不用HV管子要多一些，面积上可能划不来。

rengd02 · 发表于 2010-4-17 14:38:35

11# allentel

抱歉allentel，我不是很明白这个电路

我看到Vout输入电压最高VDD1，最低VDD1-VSG，那么Vout的反相器阈值设计要考虑什么呢？

zz620 · 发表于 2010-4-19 22:24:00

这个我不懂，受教了

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