40v输入集成功率管的降压芯片，

mycelldevice · 发表于 2010-3-16 12:54:43

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40v输入集成功率管的降压芯片，在哪里流片比较好，哪个工艺合适呢？

ykk1128 · 发表于 2010-4-3 21:42:26

You can ues 0.5u 50 V to 60V CD mos process or BCD process.

mycelldevice · 发表于 2010-4-4 17:34:02

where i can select the process?
i need the vgs swing from gnd to vin=40v

ykk1128 · 发表于 2010-4-5 11:23:26

you can check Taiwan or korea FAB .
Fab process have VGS and VDS operation voltage.
you spec VGS=VDS>40V

mingse · 发表于 2010-4-5 18:06:11

怎么都是引文啊

mycelldevice · 发表于 2010-4-7 10:12:26

是的，我的vgs=vds up to 40v,
umc or tsmc have this process?

allentel · 发表于 2010-4-8 13:47:05

maxchip vgs可以承受40v的工艺
upi在这里流片。

一定要vgs=40V吗，不可以用level shifter转一下？

vgs 40v比5V的费面积，做buck converter不划算。

mycelldevice · 发表于 2010-4-8 14:52:18

level shift hvpmos vgs 会到40v的啊，

allentel · 发表于 2010-4-8 15:16:00

high side用hvpmos？
还是bootstrap用，如果是bootstrap用hvpmos可以控制vgs为5V的

mycelldevice · 发表于 2010-4-9 10:25:45

就是level shifter 本身啊，上面的vin=40v, 这样的话上面的pmos就要是hvpmos了，而且这2个pmos的gate voltage swing from 0 to vin的啊，这样vgs=0-40v的高压了。大家怎么处理这个问题的？


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