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内容简介
●只关注深亚微米CMOS器件。开发了一个用于手工分析的称为通用MOS模型的晶体管简单模型并在全书中采用
●设计举例从实际出发强调数字集成电路的设计。突出了设计中的难点和设计指导。所有的例子和思考题都采用0．25微米CMOS工艺
●"设计方法插入说明"分散地穿插在书中，强调了设计方法学和设计工具在今天设计过程中的重要性
●每一章末的综述探讨了未来的技术发展趋势
自本书第一版于1996年出版以来，CMOS制造工艺继续以惊人的速度向前推进，工艺特征尺寸越来越小。目前特征尺寸已达到了100纳米的范围，电路也变得更复杂，这对设计者的设计技术提出了新的挑战。器件在进入深亚微米范围后有了很大的不同，这就提出了许多影响数字集成电路的成本、性能、功耗和可靠性的新问题。
修订后的第二版反映了进入深亚微米范围后所引起的数字集成电路领域正在发生的深刻变化和最新进展，特别是深亚微米晶体管效应、互连、信号完整性、高性能与低功耗设计、时序以及时钟分布等起着越来越重要的作用。与第一版不同，第二版全面集中地介绍了CMOS集成电路。与第一版相比，第二版的突出特点是利用网站提供指导材料，从而能对这些材料随时进行扩充。其中包括完整的MicrosonPowerPoint文件，它覆盖了本书全部内容、修订、更正、设计课题以及详尽的教师授课用的教辅资料。
全书共12章，分为三个部分：基本单元、电路设计和系统设计。本书在对MOS器件和连线的特性做了简要介绍之后，深入分析了数字设计的核心——反相器，并逐步将这些知识延伸到组合逻辑电路、时序逻辑电路、控制器、运算电路以及存储器这些复杂数字电路与系统的设计中。为了反映数字集成电路设计进入深亚微米领域后正在发生的深刻变化，第二版增加了许多新的内容，并以0.25微米CMOS工艺的实际电路为例，讨论了深亚微米器件效应、电路最优化、互连线建模和优化、信号完整性、时序分析、时钟分配、高性能和低功耗设计、设计验证、芯片测试和可测性设计等主题，着重探讨了深亚微米数字集成电路设计面临的挑战和启示。
特别要说明的是，本书的所有习题现已放在网站上(书中已不含习题)。 http://bwrc.eecs.berkeley.edu/IcBook--一个动态的指南
本书由美国加州大学伯克利分校Jan M. Rabaey教授撰写。本书可作为高等院校电子科学与技术（包括微电子与光电子）、电子与信息工程、计算机科学与技术、自动化等专业高年级本科生和研究生有关数字集成电路设计方面课程的教科书，也可作为从事这一领域的工程技术人员的参考书。 |
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发表于 2010-3-14 11:24:03
