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[求助] 请教模拟设计的沟长问题

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发表于 2010-1-27 09:46:46 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 motocser 于 2010-1-29 10:54 编辑

看到很多书上都用2um作为模拟设计的沟长,也有人说用工艺最小沟长的2倍;
请问各位大虾各种工艺的模拟设计沟长到底应该怎么取?
比如最小沟长0.5um的工艺中,在设计模拟电路时一般沟长用多少?0.35和0.18呢?


另外小弟在看“版图的艺术”中(442页)有提到MOS的匹配问题,说到边缘效应几乎不影响2um的器件,但是1um的器件就十分明显。
小弟想问一下:这个边缘效应对mos管的匹配影响多大?书中也没有说这个经验值源于多宽的工艺,是否现在很细的工艺也都需要用2um的沟长?

小沟长的设计如果不考虑匹问题,会否另外导致仿真结果和实际结果偏差加大?

求教各位大虾~
发表于 2010-1-27 11:54:03 | 显示全部楼层
需要严格匹配的管子就不能用最小尺寸,L在一定范围内越大越好,比如严格比例的电流镜和输入差分对等;匹配不严格的就没什么关系了,比如两级OPA的输出级和Cascode的共源共栅管,L用最小尺寸也没什么大问题,65nm的设计我们也这样用~
 楼主| 发表于 2010-1-28 12:42:30 | 显示全部楼层
那么需要严格匹配的管子一般会取多大呢?比如最小沟长0.5um的工艺
发表于 2010-1-28 16:46:50 | 显示全部楼层
在sansen的第一章里面有说到,主要是考虑高增益和高速度的矛盾。对于高增益,L选为最小L的4~8倍,对于高速率级,选择最小L。具体可以参考附件的解释。

page_18_21.pdf

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page_51_55.pdf

721.01 KB, 下载次数: 79 , 下载积分: 资产 -2 信元, 下载支出 2 信元

 楼主| 发表于 2010-1-29 11:04:39 | 显示全部楼层
看来这个沟长的使用真是一言难尽啊,应该是一个速度、增益、匹配程度和面积的综合考量,里面不知道要包含多少设计和留片的经验。。。感谢楼上的两位大哥的提点

我在这里还想问一下,沟长的大小是否会影响仿真的真实性呢?比如,会不会存在这样的一个情况:由于工艺固定偏差的问题,大尺寸的管子的仿真结果比小管子更接近真实值?
发表于 2010-1-29 21:49:29 | 显示全部楼层
学习下~~~
发表于 2010-1-30 00:50:40 | 显示全部楼层
abosolutely!
u can use device simulation tool to take insight into such effects, reference the following link:
http://www.ee.ic.ac.uk/fobelets/TCAD%20–%20Medici%20Simulation%20Tutorial.pdf
发表于 2010-2-1 15:43:22 | 显示全部楼层
以前做ADC中的放大器时,虽然输入的管子为了mismatch好,L不想取的很小,但还是要取最小L.
发表于 2010-2-2 15:10:25 | 显示全部楼层
好,谢谢!
发表于 2010-2-15 21:21:25 | 显示全部楼层
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