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[原创] 关于亚阈值区MOS管温度系数

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发表于 2009-12-24 11:51:05 | 显示全部楼层 |阅读模式

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让MOS 二极管连接,并让它工作在亚阈值区。考虑到Vgs与电流的指数关系,可以将它作为三极管来用。真正的三极管的Vbe的温度系数是负的(室温), 我想知道处于亚阈值区MOS管的Vgs温度系数是正的还是负的,我尝试过去推导,貌似很复杂~请大侠指教!
发表于 2009-12-24 16:48:54 | 显示全部楼层
VGS和载流子迁移率以及VT有关,前者是正的,后者是负的,所以很难说是正温度系数还是负温度系数,要分区域看
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发表于 2009-12-24 18:25:13 | 显示全部楼层
当管子偏置低于某一特定值时,是负温度系数,这个有理论推倒
Filanovsky和Allam研究指出,当CMOS管的vgs低于一个与温度有关的特定偏置点时,它就随温度的增加而减小,即具有负的温度系数
可以搜一下这篇文章
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发表于 2010-8-18 10:40:15 | 显示全部楼层
.dc temp -40 125 1
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发表于 2010-8-18 13:39:52 | 显示全部楼层
.dc temp -40 125 1
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发表于 2010-8-20 10:49:01 | 显示全部楼层
恩,Vgs随温度变化还真有的研究
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发表于 2010-8-21 03:01:08 | 显示全部楼层
VGS 比較難說,vth倒是負的,約為-1.5mv/C
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发表于 2010-8-21 07:19:59 | 显示全部楼层
thanks
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发表于 2011-5-17 11:16:57 | 显示全部楼层
那么请问,温度对工作在亚阈值区的VGS影响比较大,还是对工作在饱和区的VGS影响比较大?
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发表于 2011-6-20 20:59:22 | 显示全部楼层
可以通过仿真来看看,不过我知道处于亚阈值区的话,Vgs固定,IDS是正温度系数的。
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