求教：关于Ids电流公式计算和仿真的问题

极品飞车２

一个nmos
Vgs=1.2v
Vgs-Vthn=0.55v < Vds=0.75v 所以这个nmos管是工作在饱和区的　根据公式　1/2×u×Cox×W/L×(Vgs-Vthn)的平方　如果考虑沟道长度调制效应还要乘以一个系数。　现在W/L=22 　kn= u×Cox=80 根据公式计算这个nmos管子的Ids应该等于220uA　但是通过仿真出来的　结果是930nA

极品飞车２

请大家帮忙看下

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大家帮忙看下

littlej

body有偏压吗？
最好再给详细一点

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body有偏压吗？
最好再给详细一点
littlej 发表于 2009-12-18 14:44

                               
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衬底接地

hanjingyu2009

--- Operating Point ---

V(n002):         1.2         voltage
V(n001):         0.75         voltage
Id(M2):         0.000221272         device_current
Ig(M2):         0         device_current
Ib(M2):         -7.6e-013         device_current
Is(M2):         -0.000221272         device_current
I(V2):         -0.000221272         device_current
I(V1):         0         device_current

是220u啊，只不过模型有点不同

SigmaWang

负载什么的呢？

极品飞车２

--- Operating Point ---

V(n002):         1.2         voltage
V(n001):         0.75         voltage
Id(M2):         0.000221272         device_current
Ig(M2):         0         device_current
Ib(M2):         -7.6e-013         device_current
Is(M2):         -0.000221272         ...
hanjingyu2009 发表于 2009-12-18 15:01

                               
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请问你衬底接的gnd吗？

hanjingyu2009

恩，一个nmos ，两个电源，衬底、源都接地，就没必要附图了，太卡，重新画的，生成的网表
* D:\LTspiceIV\Draft3.asc
M1 N001 N002 0 0 N_1u l=1u w=22u
V1 N002 0 1.2
V2 N001 0 0.75
.model NMOS NMOS
.model PMOS PMOS
.lib D:\LTspiceIV\lib\cmp\standard.mos
.lib cmosedu_models.txt
.op
.backanno
.end

极品飞车２

谢谢楼上　请问
这个管子的s端电压比较高　　１.２V　会不会是体效应的　导致Vth的升高　所以电流变小的？