关于亚阈区sub-threshold

zealotyao · 发表于 2009-12-19 21:32:17

10# lwjbh
其实是说如果电流给定的话,那么将管子设计在CUTOFF区GM最大.
如果电流小GM当然上不去了

cancan77 · 发表于 2009-12-20 12:26:50

quote]亚阈值是通过栅电容调节Sub（bulk）的电位，从而调制由Source-Bulk-Drain构成的npn或者pnp晶体管。所以当MOS管工作在亚阈值区时，它的工作状态类似于双极器件。对于一个固定宽长比的MOS来说，它的最大跨导（gm）和最大截止频率（fT）都出现在亚阈值区。一般来讲，很多设计者喜欢把Opamp的输入差分对设计在亚阈值区。
详情请参考我贴过的一本书：http://www.eetop.cn/bbs/thread-178469-1-1.html[/quote]
谢谢wind2000sp3 感觉说的很对，我正研究差分输入管都工作在sub区的全部优点。
亚阈值区是单位W/L下的电流，很早以前计算过：单位W/L下的器件电流NMOS管限制在85nA以内,PMOS管限制在27nA以内即为亚阈值区临界条件。

lizhan006 · 发表于 2010-5-14 10:19:38

路过飞飞

yyrrsilicon · 发表于 2010-5-14 15:03:38

quote]亚阈值是通过栅电容调节Sub（bulk）的电位，从而调制由Source-Bulk-Drain构成的npn或者pnp晶体管。所以当MOS管工作在亚阈值区时，它的工作状态类似于双极器件。对于一个固定宽长比的MOS来说，它的最大跨导（gm ...
cancan77 发表于 2009-12-20 12:26

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但是，在亚阈值区不会得到很好的匹配，offset会相对大。所以，通常将输入管偏置在亚阈值区的边缘，就是还在饱和区里。

p.s：那本书确实非常非常地实用。。

yyrrsilicon · 发表于 2010-5-14 15:08:00

亚阈值是通过栅电容调节Sub（bulk）的电位，从而调制由Source-Bulk-Drain构成的npn或者pnp晶体管。所以当MOS管工作在亚阈值区时，它的工作状态类似于双极器件。对于一个固定宽长比的MOS来说，它的最大跨导（gm）和最 ...
wind2000sp3 发表于 2009-12-17 09:40

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如何调制source-bulk-drain构成的晶体管呢？

比如NMOS，source-bulk-drain形成的是NPN的晶体管，而source=0,bulk=0,drain>0，哪个晶体管会导通呢？pn结都是0偏或反偏。

所以，其机理还是和弱反型时沟道中的电荷有关。只是表现出来的特性类似bipolar了。

forever6269 · 发表于 2010-5-16 22:51:13

dddddddddddddd

rocflying · 发表于 2010-5-16 23:42:19

好处好像就是低电流，坏处就是速度慢
关于noise，offset貌似没有什么书比较过

sxzong_hit · 发表于 2010-5-17 09:46:33

对于工作在亚阈值区的共源结构的电路可以作为交流信号的幅值检测吗~~

chenqi19870628 · 发表于 2010-12-16 08:56:13

多谢指教

ANGELJJAY · 发表于 2013-4-2 13:33:19

好贴学习了

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