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Free circuit IP and design manual

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发表于 2009-11-28 06:26:33 | 显示全部楼层 |阅读模式

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http://www.megaupload.com/?d=Z7UX88JG
128Mb DDR memory complete circuit design 0.14um

http://www.megaupload.com/?d=0D9NJYXI
Nand Flash structural analysis

http://www.megaupload.com/?d=M037AD3X
8Gb Nand flash 70nm

http://www.megaupload.com/?d=4Y10RG34
misc DRAM process 72nm ,  0.11um


发表于 2009-11-28 07:28:45 | 显示全部楼层
谢谢共享共同进步
 楼主| 发表于 2009-11-28 11:06:18 | 显示全部楼层
所有设计文件是从一个破产的IC公司
中国需要建立的公司,使NAND和DRAM内存芯片,类似于日本的Elpida和韩国的三星.

这些文件包括DRAM和NAND闪存的设计,一些中国企业可以根据与启动
 楼主| 发表于 2009-11-29 12:31:08 | 显示全部楼层
must surpass taiwan's IC industry
发表于 2009-11-29 13:13:27 | 显示全部楼层
thanks
 楼主| 发表于 2009-11-29 15:37:47 | 显示全部楼层
许多文件张贴在这里的学习指导。他们没有真正的价值。
但我在这里张贴有实际的设计真正的产品。
 楼主| 发表于 2009-11-29 15:41:02 | 显示全部楼层
使中国建立新的半导体领域和产品
发表于 2009-11-29 22:17:34 | 显示全部楼层
感谢上传!!!
 楼主| 发表于 2009-11-30 01:28:44 | 显示全部楼层
(SMIC) 中芯国际的确是一个蠢蛋,如果不认错,并于2005年与台积电妥协(TSMC), 当时的美国法官将很难证明中芯国际的错 在2005年妥协,中芯国际已认错。 全世界已经知道了
因此现在,台积电把案件在美国和它的中芯国际是已知的过错。
 楼主| 发表于 2009-11-30 11:46:52 | 显示全部楼层
任何人都知道为什么半导体工业已发展缓慢的原因
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