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楼主: loogwen

有没有人用Sentaurus模拟过AlGaN-GaN HEMT?

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发表于 2014-5-8 17:39:35 | 显示全部楼层
回复 2# shining_xie


    既然你用过,那你一定有AlGaN和GaN参数文件吧,就是那个AlGaN.par和 GaN.par 吧
   可以给我发下不?我急需。。。
发表于 2014-5-27 14:05:34 | 显示全部楼层
好东西,多谢楼主 呵呵呵呵
发表于 2014-7-28 15:54:47 | 显示全部楼层
谢谢分享
发表于 2015-6-7 08:33:52 | 显示全部楼层
回复 2# shining_xie

你曾经用过是怎么用的呀,用到极化效应模型了么,还是用PMI了啊?我看好多程序,都是直接在界面处添加固定电荷,我想对结构进行变形,肯定对界面电荷有影
发表于 2018-5-21 00:37:56 | 显示全部楼层
回复 2# shining_xie 您好
想請問一下
在考慮極化方面
是否要在SDevice的物理模型中增加指令呢??
麻煩您了
发表于 2020-6-9 00:56:12 | 显示全部楼层
Thank you for sharing!
发表于 2021-1-30 15:33:12 | 显示全部楼层
必须学习下,谢谢
发表于 2021-1-30 22:51:34 | 显示全部楼层
看看
发表于 2021-2-5 00:07:35 | 显示全部楼层
看看
发表于 2021-3-28 20:57:30 | 显示全部楼层
好资料,学习一下
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