PTAT电流，流片出问题，肯请牛人指点

martiny3 · 发表于 2009-10-23 19:43:04

楼上各位，这是国外成熟电路中的，并非随便来的。
还请高手指点

zhongbo1127 · 发表于 2009-10-24 21:14:55

应该是反向设计的吧
版图是你们自己画的还是直接参考的？？？
如果是这样的话要看什么样子的公司了。有些Fables的工艺是有很大区别的
如果单纯的copy别人的电路去实现一样的目的，往往事与愿违。
看你的症状，个人感觉是你们版图出了问题。人家的版图可能对匹配注意的非常好。
对于好多寄生的效应针对自己的工艺很好的优化。

martiny3 · 发表于 2009-10-24 21:33:22

楼上兄弟说的有道理。能否说的深入点？

zhongbo1127 · 发表于 2009-10-24 23:37:09

由于顶级模拟设计电路公司已经选择自己生产线或者Fables，现在反向已经基本上时无路可走，除非做DC/DCclassiD这种相对较为简单的产品，很难看见哪家反向公司的单片DA/AD非常强的,当然部分SOC中的另说。
反向是一条不归路。不少公司都把自己公司开发的新器件和工艺当公司的最高机密。
如果楼主想做好这个，我建议直接参考别人的电路和芯片参数。小部分部分电路还是自己设计吧。
毕竟大部分的原理性的东西还是通用的。

navyhu · 发表于 2009-10-25 13:36:33

还有一个很大的影响因素,电流是I=(Vbe1-Veb2)/R,R的绝对值偏差是很大的,20%的变化都会有

wind2000sp3 · 发表于 2009-10-25 17:20:42

根本原因：impact ionization。（Leekage from Drain to Bulk when Source Voltage and Drain-Source Voltage are both high）
Cascoded NMOS 的电流太小，所以严重受到impact ionization的影响。建议：改开环电路为闭环电路。

sjxu007 · 发表于 2009-10-26 15:38:34

delta Vbe如果不是基于同种管子的话，方程就变掉了呀。你原来居然仿真都没问题？

tayo134 · 发表于 2009-10-27 11:27:33

6# guang3000
非常同意6楼。
使用两种双极管子来产生电阻上的电压差会有很大的问题，应该是没有做CORNER仿真，这样做出来的片子，就算是有好的，成品率也是非常低，至少<1/9。其实仿真应该可以仿出来，不同的CORNER，电压差肯定不一样，那电流也就肯定不一样了（还不说电阻等别的CORNER）。

ai619 · 发表于 2012-8-9 17:35:06

YOUYONG，收下了

fishbone53 · 发表于 2012-8-9 18:26:01

以前在PAPER上见过这种结构，它是利用Q1，Q2和R11的不同温度系数来凑出一个基准电流

PTAT电流，流片出问题，肯请牛人指点

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