在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 10817|回复: 85

Berkeley 关于0.35uM CMOS工艺的讲解

[复制链接]
发表于 2009-10-21 15:57:08 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
1. Introduction
2. Process development and simulation
3. CMOS baseline fabrication process
4. Measurement results of CMOS170
5. SPICE model parameter extraction from BSIMPro+
6. Process and device parameters
7. Introduction of standard design rules in the transistor design

EECS-2007-26.pdf

992.04 KB, 下载次数: 776 , 下载积分: 资产 -2 信元, 下载支出 2 信元

0.35 μm CMOS PROCESS ON SIX-INCH WAFERS

发表于 2009-10-22 01:10:49 | 显示全部楼层
路过看看
发表于 2009-10-24 10:13:31 | 显示全部楼层
1# animalheart xiexie
发表于 2009-10-24 10:24:51 | 显示全部楼层
比较实用,谢谢!
发表于 2009-10-24 13:52:46 | 显示全部楼层
谢谢分享
发表于 2009-10-27 10:42:51 | 显示全部楼层
下来看看
发表于 2009-10-27 12:07:28 | 显示全部楼层
Berkeley 关于0.35uM CMOS工艺的讲解
发表于 2009-11-6 05:20:03 | 显示全部楼层
great
发表于 2009-11-18 16:58:04 | 显示全部楼层
xiexie
发表于 2009-11-18 17:00:32 | 显示全部楼层
xie xie xie
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条

小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-9-21 05:38 , Processed in 0.023873 second(s), 11 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表