关于MOS管进入饱和区后电流的流向问题

liufengchun100 · 发表于 2012-11-12 22:30:53

16楼分析的好透彻，顶一个

selfsalvation04 · 发表于 2012-11-12 23:21:04

上半导体器件物理课我没记错的话，老师说是隧穿效应，电流过去的，通俗的说就是前面大神那样说的

ygchen2 · 发表于 2012-11-12 23:26:32

回复 8# lgy737

载流子穿过耗尽区时是不参与与晶格电子替代过程的，所以才可能电场很强时出现诸如速度饱和效应的现象，16#的解释基本道理应该是对的。

zhaoqin · 发表于 2012-11-13 21:40:59

这么多年一直不明白，学习了

我想楼主想问这个问题：耗尽层中的自由电荷既然被束缚（或者释放）了，或者说自由载流子已经复合了，那么耗 ...
wind2000sp3 发表于 2009-11-11 03:29 PM

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北极阳光 · 发表于 2013-8-2 15:32:18

在耗尽去，电子是被耗尽电场（恒定）拉进漏端,电流不变

wswy · 发表于 2013-8-3 17:13:14

看来学电路的都不学半导体物理了。16#那么瞎扯一通，感觉半导体物理自学的。

mekenny · 发表于 2013-8-3 17:21:58

翻翻晶体管原理的书

zhongbo1127 · 发表于 2013-8-4 21:05:25

看来学电路的都不学半导体物理了。16#那么瞎扯一通，感觉半导体物理自学的。
wswy 发表于 2013-8-3 17:13

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愿闻高见

semico_ljj · 发表于 2013-8-4 21:57:24

brightchou · 发表于 2013-8-5 16:56:20

这个问题一直有疑问，当时老师也确实是略过的，没怎么提，听了16#的，也算是有点头绪吧

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