请教LDO流片测试现象分析问题

TianBian365

原因分析：
        低电源电压MOS 工作在线性区，输出极点为为主极点。
        电压上升，PMOS工作在饱和区，输出极点阻抗增加，输出极点往原点移动。系统不稳定了
措施：增大PMOS，低电压也饱和，合理补；输出电容接合适esr，零点补偿，但对瞬态有影响。。。

TianBian365

更正：
   低电源电压： 大电流 PMOS线性区 输出为非主极点。。。其余参考前面所述

chirpyfish

你说：尝试过在高电压下（vin>3.6V），电流大于10mA时,PM仍然大于70
那我问：vin>3.6V，电流大于50mA时,PM是多少？

USTM

原帖由 chirpyfish 于 2009-8-27 11:14 发表

                               
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你说：尝试过在高电压下（vin>3.6V），电流大于10mA时,PM仍然大于70那我问：vin>3.6V，电流大于50mA时,PM是多少？

谢谢你的回复，这两天在找原因，PM为73到78。

USTM

原帖由 TianBian365 于 2009-8-26 21:19 发表

                               
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更正：   低电源电压： 大电流 PMOS线性区 输出为非主极点。。。其余参考前面所述

谢谢你的回复，我的PMOS功率管比较大，输出电压1.8V，在2.3V以后肯定已经进入饱和区了的，而我的现象触发点是在3.6V以后

lsh0211

看来是不稳定问题!
      你说使用的是动态补偿，那么在电源电压和/或电流变化时，有可能会导致零极点不能线性的跟随，因此出现稳定性问题首先确保你在仿真相位裕度时断开环路没有影响到直流工作点和断开节点处的零极点，其次ac分析结果有时是不正确的，原因很多，因此必须使用tran分析进行检验。如果tran分析通过，可以进一步检查layout和后仿真(tran分析)
     我做过两个版本的电路，其中一个版本有和你同样现象，条件是在大电流和vdd较低条件下才出现，而另一个版本却没有，就是因为动态补偿在此条件下出现了稳定性问题。

[ 本帖最后由 lsh0211 于 2009-8-28 18:55 编辑 ]

USTM

原帖由 lsh0211 于 2009-8-28 18:48 发表

                               
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看来是不稳定问题! 你说使用的是动态补偿，那么在电源电压和/或电流变化时，有可能会导致零极点不能线性的跟随，因此出现稳定性问题首先确保你在仿真相位裕度时断开环路没有影响到直流工作点和断开节点处的零 ...

进行的瞬态分析、方波、三角波都进行了仿真，奇怪的是在小电流下，会有很小的波纹（1、2mV），大电流下正常，但实际测

试时时小电流正常，大电流异常！

进行了AC分析，也进行了stb分析，结果基本一致，无异常！

莫非版图问题？还是测试问题？

继续郁闷中~~~~~~~~~

0726

你的基准是否有问题？
如果基准环路有问题，也可能出现这种现象，请先排除基准的问题，或者限流环路的问题，再考虑LDO的电压环路

USTM

原帖由 0726 于 2009-8-29 20:30 发表

                               
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你的基准是否有问题？如果基准环路有问题，也可能出现这种现象，请先排除基准的问题，或者限流环路的问题，再考虑LDO的电压环路

基准是第一个被排除的，在任何情况下，稳定！

xiayixue198402

那你做过后仿没？
还有版图检查过没？是否存在影响稳定的因素呢？