关于ALLEN的CMOS模拟集成电路设计第133页的问题

super_gu · 发表于 2009-6-20 09:18:44

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各位大侠：
小弟在研习ALLEN的CMOS模拟集成电路设计的时候，在第133页有一个图4.3-7。对于这个图我有些疑问。希望各位大侠不吝给与帮助和解答。万分感谢。
问题如下：
M4的W/L是M1,M2,M3的1/4，因而假设4个MOS管都饱和的话，那么M4的VDS=2VON+VT，M3的VDS=VON,M1的VDS=VON,M2的VDS=VON，M5的VDS=VON，这样M5的DRAIN电压为2VON，但是M5的DRAIN链接到了M3的GATE端，而M3的GATE端电压为VT+VON，这就有矛盾了，如果M5的DRAIN电压为VT+VON，则M5的VDS电压为VT，而M5的VGS=VON+VT，不可能使M5进入饱和区工作了。这里我就感到有些困惑，M5工作在什么状态呢？

williammane1984 · 发表于 2009-11-26 13:11:42

厉害啊！！！

xxdtju · 发表于 2009-11-26 15:36:02

一般来说，VT>VON, 所以M5工作在饱和区

pkf690801 · 发表于 2009-11-28 06:09:32

thanks...............................................

lqlcug · 发表于 2009-11-28 09:21:20

貌视楼主有点迷糊啦，Von<Vth的时候，M5就工作在饱和区了。

shenlu3918 · 发表于 2009-12-2 19:56:04

xieixe

shenlu3918 · 发表于 2009-12-2 20:03:35

jiushi

henry2003 · 发表于 2009-12-3 11:51:55

thanks al ot

xybz2010 · 发表于 2009-12-31 22:13:08

牛人太多了

qixueli001 · 发表于 2010-1-3 20:22:39

谢谢楼主共享！！！！

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