碳化硅离子注入及欧姆接触的研究

suk.qi

正在研究SiC器件的工程师，可以参见下面的论文（西安电子科技大学）。

第一章绪论..............................................................................……1
1.1研究背景....................................................……，..............……1
1.2国内外研究进展..................................................................……3
1.3本文的主要工作.................................................................……
第二章siC的离子注入理论和模拟......................................……。……7
2.1解析算法...........................................................................……
2.1.1统计分布函数的特征参数................................……‘.........……8
2.1.2几种常用分布函数.........................................................……8
2.1.3多能离子注入形成箱型载流子分布.....................……，...……””.10
.22蒙特卡罗算法............................……，................................……n
2.2.1考虑不同条件对于T犯M模拟结果的影响..........................……n
.2.22T川M模拟结果............................................................……14
.23采用P~now型函数对T犯M模拟的结果进行修正...................……16
2.3.1对们灯M模拟的结果和试验测试图进行比较........................……17
2.3.2PearosnVI函数表征离子注入浓度分布..........……““.“.“”二”二““””.17
.23.3PearosnW型函数对TRIM模拟的结果修正..........................……19
2.4本章小结.........................................................................……20
第三章siC材料的欧姆接触研究......................................................……21
3.1欧姆接触的传统理论..........................................................……21
3.1.1欧姆接触理论..............................................................……1
3.1.2比接触电阻p。.............................................................……23
3.1.3比接触电阻测试方法.....................................................……3
3.2n型siC欧姆接触的形成机理和欧姆接触的改进.......................……4
3.2.In型siC欧姆接触的形成机理..........................................……4
3..22n型SCI欧姆接触稳定性研究及欧姆接触的改进..................……6
3.3p型siC欧姆接触的研究.......................................................一27
3.3.lp型4HsiC欧姆接触的机理............................................……7
3.3.2p型SIC欧姆接触稳定性研究及欧姆接触的改进..................……9
3.4Ni同时做n型和p型欧姆接触，减少工艺难度...........................一30
3.5本章小结.........................................................................……31
第四章离子注入制备siC欧姆接触的工艺研究.................................……32
4.1离子注入制备欧姆接触条件研究...........................................……犯
4.1.1注入杂质的选择.....................................·.····，·············……”32
碳化硅离子注入及欧姆接触的研究
4.1.2离子注入采用的能t和注入温度....................................……“33
4.1.3离子注入剂t..............................................................……3
4.1.4退火时间、退火温度.....................................................……34
4.1.5退火中的掩膜和退火氛围...............................................……5
4.2工艺流程和版图................................................................……36
.42.1工艺流程...................................................................……36
.4.22版图..........................................................................……8
.4.23测试方法…，....……，..................................……，............……39
.42.4流片情况.……。..............................................……。.......……2
.43本章小结.........................................................................……43
论...........................................................................................……44
谢二，......................................................................................……45
考文献........................................……‘.....................................……46

devilyuan

郭师兄的？

zhaoshukun

到底是欧姆接触的还是注入呢？

huzhili1982

应该不错！
感谢！

ybhsu2008

NH后缀的文件证明打开？

ControllerA

感谢分享！