设为首页收藏本站

eetop公众号

创芯大讲堂

创芯人才网

切换到宽版

手机号码，快捷登录

创芯云服务 : 创芯大讲堂 | 创芯人才网 | 数字IC职业培训 EETOP诚邀线上IC培训讲师!

搜帖子

EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)»论坛 › IC 设计及制造（半导体、微电子） › Analog/RF IC 设计 › Analog/RF IC 资料共享 › The Study of Drain Current Model in Deep Submicron M ...

发新帖

查看: 1626|回复: 2

The Study of Drain Current Model in Deep Submicron MOSFET

发表于 2009-6-1 18:30:32 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

x

Taiwan Master Thesis:

The Study of Drain Current Model in Deep Submicron MOSFET

MS_深次微米金氧半場效電晶體電流模型之研究.pdf

551.41 KB, 下载次数: 32 , 下载积分: 资产 -2 信元, 下载支出 2 信元

The Study of Drain Current Model in Deep Submicron MOSFET

回复

发表于 2009-6-20 20:46:37 | 显示全部楼层

好东西，感谢楼主

EETOP创芯人才网简历投递入口

回复支持反对

发表于 2011-7-7 06:31:30 | 显示全部楼层

MERCI POUR LE PARTAGE

回复支持反对

发新帖

高级模式

B Color Image Link Quote Code Smilies

您需要登录后才可以回帖登录 | 注册

本版积分规则回帖后跳转到最后一页

关闭

站长推荐 /2

小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-12-24 02:48 , Processed in 0.016933 second(s), 7 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号

创芯大讲堂

创芯人才网

快速回复 返回顶部 返回列表