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芯片精品文章合集(500篇!) 创芯人才网--重磅上线啦!
楼主: gaoling179

44b0开发板原理图(Protel99)

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发表于 2007-2-5 11:25:34 | 显示全部楼层
只是灌水挣钱
谢谢
发表于 2007-3-9 23:57:15 | 显示全部楼层
haoya,kankan
头像被屏蔽
发表于 2007-4-3 22:36:22 | 显示全部楼层
提示: 作者被禁止或删除 内容自动屏蔽
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发表于 2007-4-3 22:37:18 | 显示全部楼层
提示: 作者被禁止或删除 内容自动屏蔽
发表于 2007-4-3 23:57:55 | 显示全部楼层
不好!似乎在骗积分
发表于 2007-4-5 19:00:29 | 显示全部楼层
楼主:
看了你的原理图,我有几个问题请教
1:在你的画的原理 图上  S3C44B0的很多引脚 上你串接了很多22欧的电阻。是不是作为匹配电阻使用??

2:在原理图DRAMSDRAM上,地址线是接在接了22欧电阻后的地址总线上的,   而在EEPFLASH原理图上,地址总线却是直接和S3C44B0的地址总线连接的。我不清楚的地方是DRAM——SDRAMEEPFLASH的地址总线接法为什么不一致??(前者串接了匹配电阻,后者没有)

(我的想法::是不是因为DRAMSDRAM作为内寸,访问更频繁(类似于高速电路),所以要加22欧的匹配电阻。而EEPFLASH做为启动盘访问较少,因此不用接匹配电阻???)

3:数据线上需要接匹配电阻吗??
(我现在的想法是既然地址线都接了,数据线也要接)

4:在原理图UARTSIOIIS上,我发现你串接了匹配电阻,阻值是0欧。电阻阻值有0欧?如果是0欧着那为什么还要串接这个电阻??0欧电阻的作用是???还是电阻的阻值待定,你用随便用的数值?
  

   我还是初学者,有太多不懂。希望社区的朋友多多帮助!在此先谢过大家了!
发表于 2007-5-31 14:49:41 | 显示全部楼层
好东西,zhichi
发表于 2009-9-24 16:58:23 | 显示全部楼层
xie xie xie
发表于 2009-11-8 15:53:07 | 显示全部楼层
谢谢共享
发表于 2009-11-17 13:40:46 | 显示全部楼层
好资料啊
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