设计带隙基准时工艺角仿真出现大的变化

chipdesign · 发表于 2009-5-19 14:19:55

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我设计了一个电流模形式的带隙基准，在tt情况下调节到80db的psrr
和2ppm/K的温度系数；但是仿真ss和ff时，带隙的温度系数都增加到约30ppm/K
另外带隙输出的电压值也分别增加和减小了10~10mv

请高手指教一二，不胜感激

lodestar6666 · 发表于 2009-5-23 23:27:12

可能是电流源设计的不好，电流随工艺变化太大，不够稳定。设法减小电流源与工艺相关性，加些补偿

lz1860 · 发表于 2010-5-31 17:30:29

这个和电路结构有关

icseubear · 发表于 2010-6-16 16:32:21

不认同是电流源设计不好,
不同Corner下,Vbe可能存在偏移,折算到负温度系数的电流,再镜像,折算到电阻上的电压,就可能存在少量的变化了.

alexshuai · 发表于 2010-6-16 22:46:40

看看BJT的模型，是否有corner？一般BJT的参数比较稳定，所以多数FAB厂的BJT模型都不考虑corner的影响，但也有一些会提供多种corner，如果是这样，出现楼主这样的情况也很正常。

4# icseubear

woodtrain · 发表于 2010-6-18 21:45:42

如果你有耐心推导bandgap的最终表达式，就可以看到bjt的corner会影响diode的Is0；res的corner会影响diode电流Ib的绝对值。由于最后Vbg里跟电流相关的都是ln项，因此Vbg的偏差不大。具体来说bjt和res的corner会分别带来约1.5%的偏差. 温度系数更不用说了

steve_guo_1997 · 发表于 2010-6-18 22:31:56

很正常的

mushui · 发表于 2010-7-1 21:06:27

很正常啊。而且你要是只用一阶温度补偿就能做到2ppm 真的很不错了啊

harry1862pd · 发表于 2010-8-17 10:53:46

trimming

草木风 · 发表于 2011-12-28 09:47:11

我也正为这个问题纠结中。。

设计带隙基准时工艺角仿真出现大的变化

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