如何从工艺库中提取一级手机计算参数

chibijia · 发表于 2009-5-18 22:36:00

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由于最近想尝试着设计一下一个两级运放，但是每次都设计不好，看了一些指南，说要提取参数
请问如何从工艺库中提取一级手机计算参数，比如说tox,vthn,vthp,un,up
我提取的手工模型，为什么hspice跑后，vth和计算的相差很大。还有一般两级运放各管子都工作什么状态！

zhanghao301 · 发表于 2009-5-18 22:54:07

同问~~~希望高手能解答一下

_Ryu · 发表于 2009-5-18 23:17:37

chibijia · 发表于 2009-5-19 12:00:11

那一般运放的各管子工作于什么状态呢

USTM · 发表于 2009-5-19 13:50:10

tox=Lmin/50是个大概的值
其他值都可以再model里面找到

基本在饱和区，去过没有特别要求！

_Ryu · 发表于 2009-5-19 22:43:36

原帖由 chibijia 于 2009-5-19 13:00 发表

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那一般运放的各管子工作于什么状态呢

一般来讲关心饱和区的性能。可以将MOS接成diode的样子。

bluecoffee · 发表于 2009-5-24 10:21:03

原帖由 USTM 于 2009-5-19 13:50 发表

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tox=Lmin/50是个大概的值
其他值都可以再model里面找到

基本在饱和区，去过没有特别要求！

那是不是除了tox，其他的都可以直接使用库里面level49的参数呢？

bxn90724 · 发表于 2016-6-2 19:23:57

学习学习

raf_song · 发表于 2016-6-4 12:29:21

應該不需要提取參數吧
設計時要注意
1. 元件工作在你要的工作區
2. 無法和HSPICE完全相同，有個5%誤差合理
但要想清楚，這些誤差從那來

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