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低電壓互補式金氧半製程下的高電壓電路設計

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发表于 2009-5-9 19:28:26 | 显示全部楼层 |阅读模式

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来篇台湾的学位论文,大家共同学习学习噢!

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[ 本帖最后由 kfwzf 于 2009-5-9 19:35 编辑 ]

低電壓互補式金氧半製程下的高電壓電路設計.pdf

4.4 MB, 下载次数: 36 , 下载积分: 资产 -3 信元, 下载支出 3 信元

台湾学位论文

 楼主| 发表于 2009-6-11 19:29:52 | 显示全部楼层
ding yui ge
发表于 2009-8-1 00:42:09 | 显示全部楼层
额是好东西呀
发表于 2009-8-1 09:55:54 | 显示全部楼层
看看具体是什么内容!
发表于 2009-8-1 20:32:27 | 显示全部楼层
不错,支持一下。
发表于 2010-7-23 07:47:23 | 显示全部楼层
good
柯明道學生  

在 0.18 ~0.25um
使用 低壓 做高壓

一般是讓 drain 耐高壓
不過能耐多高壓 還有沒有 可靠度問題 ?

很多方式 可drain 端多打 nwell 降低 doping   
增加 breakdown 電壓 但是
可靠度  和增加 rdson 是另個問題
发表于 2015-1-19 14:46:44 | 显示全部楼层
感谢楼主
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