请教90nm UMC CMOS MIM 电容 layout 的连接

051021031 · 发表于 2009-5-8 22:19:28

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各位设计高手，

小弟最近使用 UMC 90nm CMOS 工艺进行电路设计，版图基本上已经完成，但是最后一步的时候遇到了麻烦，DRC 检测的时候，总是说电容还有PAD与金属线连接有问题。 "All Cu-Metal layers METAL_m (which are not the UM (upper metal) layer) are also recommended to avoid touching MIMBP (bottom plate of MIM Capacitor)". PAD 连接的时候也有这个问题。但是在UMC0.18um的工艺中，就没有这个问题，那个电容版图模型就做的比较好。我觉得主要是UMC90nm的版图把电容包得太严实了。有很多层的metal "dum", 也不清楚这个到底是干什么用的。

请问哪位高手用过这个库画过版图，希望能指导一下，感激不尽啊，现在就这个问题，一直在误工啊。

051021031 · 发表于 2009-5-8 22:33:24

这里再补充一下，LVS是可以通过的，很奇怪，但是寄生参数提取的时候，就失败了，所以我觉得可能还是由于DRC的问题没有解决，所以寄生参数提不出来。

sbdem984 · 发表于 2009-5-9 02:16:45

那个是说， MIMBP 上面不能有任何metal的

sbdem984 · 发表于 2009-5-9 02:21:08

那个是说， MIMBP 上面不能有任何metal的走线

另外，你所说的dummy layer，还有slot layer （总共20多层），需要覆盖整个电路，然后再做DRC检查，否则很多DRC rule是检查不到的

semico_ljj · 发表于 2009-5-9 12:13:13

MIMCap上面和下面都不能走线！

jling8 · 发表于 2009-6-15 14:00:47

学习。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

bn0925 · 发表于 2009-12-28 14:13:26

学习学习

冬天的瓜 · 发表于 2010-6-30 09:30:21

MIMCap上面和下面都不能走线

xiaoquanic · 发表于 2014-6-13 12:30:38

学习了啊，好东西

wkfr · 发表于 2014-6-13 21:22:37

这个工艺我没有用过建议lz去看看工艺的文档上面应该有详细的说明应该怎么做
就我自己用IBM SiGe的经验 MIMCap 的下层金属不能直接跟其下层的金属连接如果非要这么做的话要把他先连到上一层金属然后再和其他的部分连接甚至接地也要这么接貌似是为了保证成品率

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