请问工艺文件定的电源电压的具体定义是什么？

zhucehappy

比如simc 或者tsmc 的0.18um CMOS工艺，有1.8v的nMOS pMOS,还有3.3v的，请问这个1.8v是指栅、漏、源三个端子中任两个之间的电压不能超过1.8v吗？还是栅、漏、源、地中任两点电压不能超过1.8v呢？  希望有大虾可以指点一下，谢谢！

littlej

原帖由 zhucehappy 于 2009-5-8 09:00 发表

                               
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比如simc 或者tsmc 的0.18um CMOS工艺，有1.8v的nMOS pMOS,还有3.3v的，请问这个1.8v是指栅、漏、源三个端子中任两个之间的电压不能超过1.8v吗？还是栅、漏、源、地中任两点电压不能超过1.8v呢？  希望有大虾可以指点 ...

1.8V和3.3V分别指两种类型的器件。1.8V指VDD工作在1.8V以下，mix-mode工艺还支持1.8V以下准确的器件模型。

zhucehappy

那我用1.8v的nmos管子，电源电压3.3v，但是使vds，vgs的电压都没有超过1.8v可以吗？

open_source

tricky question.In principle, it's ok for nmos, but you need to check the transient state to ensure no voltage exceeds 1.8V

phenix-jf

原帖由 littlej 于 2009-5-8 13:10 发表

                               
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1.8V和3.3V分别指两种类型的器件。1.8V指VDD工作在1.8V以下，mix-mode工艺还支持1.8V以下准确的器件模型。

我怎么问我师兄说是1.8，3.3是典型工作电压啊，也就是说他可以工作在其他电压的吧，怎么是“1.8以下”呢？？
什么叫准确的器件模型？

核桃树

大牛门来搞搞，1.8V是指Vdd的电压么？