实际工艺中，哪种电阻的温度系数最好？

feiying68 · 发表于 2009-4-15 23:19:49

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如题所示，那种电阻的温度系数最好？最近在做Bandgap，希望大家踊跃发言

gottlieb · 发表于 2009-4-16 00:07:58

这要看你所使用的工艺，不同的工艺差别会很大。标准工艺中多晶电阻的TC最小，其中包括多晶硅和silicided（金属硅化），其TC一般在1000ppm/oC附近。金属硅化主要是为了降低方块电阻，多晶电阻除了TC较低，还具有单位面积相对较低的寄生电容，而且在标准CMOS工艺中所能采用的电阻材料中最小的电压系数。一些特殊的专门为模拟电路优化的工艺，使用合金做电阻，比如NiCr或SiCr，这些电阻TC的数量级都在100ppm/oC或更低。工艺的手册中都会详细描述他能实现的电阻及其温度系数，参考手册你会得到更详实的答案。
你又不是设计普通基准电压，为什么要过多考虑电阻TC？bandgap本身就是用CTAT元件补偿PTAT元件，来得到与电源，温度无关的硅带隙电压呀。用标准工艺的常规电阻就足够了，最后选择一个参照温度，调节基准中的电阻，使TC为0就可以了。

hoarer · 发表于 2009-4-16 00:54:35

常规bandgap感觉电阻的匹配性更重要些

feiying68 · 发表于 2009-4-17 10:27:46

顶起来

guang3000 · 发表于 2009-4-17 10:35:01

好像一般器件的绝对精度越高，相对精度就越高。例如 VPNP , 多晶硅电阻匹配都会更好些

donaldz · 发表于 2009-4-18 13:13:41

应该电阻越小，温度系数越小吧？

harry1862pd · 发表于 2010-8-18 10:31:35

.dc temp -40 125 1

duck911 · 发表于 2010-8-21 04:59:00

poly resistor.

goodsilicon · 发表于 2010-8-21 13:21:28

p type poly resistor.

awwddbb · 发表于 2010-8-22 18:55:58

工艺影响很大。不一定。

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