在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 2951|回复: 4

hsim求助

[复制链接]
发表于 2009-4-4 10:58:06 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
仿真  ram 的时候遇到的,
先把ram的mos管的w,l都shrink到原来的0.85倍,加上激励,仿真的时候读出的数据是正确的(跟设置的状态是一样的)
此时的hsimspeed设置  整体为8,ram部分为3,hsimvdd=1.8 数字部分的电压也是1.8v

然后又把ram的周边控制数字电路也shrink,这时候仿真的时候,在原来没有毛刺的地方出现了几个毛刺
设置跟刚才是一样的

一开始觉得是设置的问题,于是把hsimspeed的的值设为6,ram部分仍然为3
仿真完的数据仍在错误的位置有毛刺,但是毛刺的位置变了。。

我觉得这样反复的修改参数挺浪费时间的,每次把speed降低,都会多花很长时间,要24h,甚至更长,有没有什么好的办法debug?
 楼主| 发表于 2009-4-6 10:15:45 | 显示全部楼层
自己顶下。不要沉下去了
发表于 2010-7-27 15:37:08 | 显示全部楼层
thanks
发表于 2014-6-12 14:57:12 | 显示全部楼层
回复 1# renzhangqiang3
你好,我想问下数字顶层假设为digital_top,digital_top下包含有4个RAM,在*.sp文件中如何假如VDD能保证整个数字部分都连接到VDD,用  .param hsimvdd = 1.8
    .global vdd vss
    .vvdd vdd 0 1.8
   .vvss vss 0 0
上述命令好像不行,RAM部分的管子始终没有电压,问下原因??
发表于 2021-1-9 20:32:47 | 显示全部楼层
前辈解决了吗,我也遇到这种问题了,我速度设置为0,结果完全错误,速度调高,部分错误
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-5 12:43 , Processed in 0.018659 second(s), 9 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表