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ESD问题求助(急)

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发表于 2009-4-1 18:31:56 | 显示全部楼层 |阅读模式

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Snap1.jpg
如上图ESD保护,是利用了MOS管内的寄生三极管(pnp / npn),如果我去掉下面的nmos,那么对ESD会有什么影响?
上面的pmos是不是既可以保护正的ESD,又可以保护负的ESD?去掉了nmos是否只是降低了ESD保护能力,而没有特别大的影响?  (正的ESD指的是ESD为正的电压,比如+1000V)

非常急啊,这几天希望有高手解释
发表于 2009-4-1 20:40:41 | 显示全部楼层
NMOS千万不能拿掉!ESD主要是NMOS起作用。
见过PMOS拿掉的。比如3、5v兼容的pad.
 楼主| 发表于 2009-4-1 22:42:56 | 显示全部楼层
把nmos拿掉会怎么样?
发表于 2009-4-1 22:57:22 | 显示全部楼层
 楼主| 发表于 2009-4-2 09:55:37 | 显示全部楼层
管子解法没问题的~
发表于 2009-4-4 15:59:23 | 显示全部楼层
这样看你整个芯片的ESD保护保护方案。只要保证所有情况下都存在ESD电流的通路就可以去掉N管或P管。一般情况下电源的保护结构可以去掉一个管子,但IO的保护
则不可以去掉。
发表于 2009-4-6 13:10:16 | 显示全部楼层
下边那个是GGNMOS,作用比较大,一定要留下。
发表于 2009-4-12 01:08:02 | 显示全部楼层
P2P之间必须有ESD,NMOS保护P2VSS的,不能拿掉,相同,PMOS也不能拿掉,因为是保护P2VDD的。
发表于 2009-4-13 09:27:25 | 显示全部楼层
what is GGNMOS?
发表于 2009-4-13 11:00:10 | 显示全部楼层
ESD峰值电流:如HM2000K约1.3A;
这种寄生的PNP或NPN在反偏时导通电流较小,如果去掉GGNMOS,PMOS导通电阻太大,PS模式下,pad容易打坏。
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