如何让高电压通过IO Pad？

justfordownload

用的是smic35工艺，smic提供的IO Pad输入电压推荐最高为5.5V，但是我想输入12V的电压（持续2ms），完了之后再作为3.3V供电，这两个电压是共用一个IO的，大家有好的方案吗？

spine

change the IO pad.

justfordownload

怎么修改??

denverwang

因为 MOS device break down issue,
not prefer over drive 5V IO PAD.
如果你只是要发paper,(以前我常在学校这样做)
可以用空PAD就好了--> no ESD and pre/post drive.

justfordownload

原帖由 denverwang 于 2009-3-20 16:50 发表

                               
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因为 MOS device break down issue,
not prefer over drive 5V IO PAD.
如果你只是要发paper,(以前我常在学校这样做)
可以用空PAD就好了--> no ESD and pre/post drive.

不是发paper，我们要准备流片，如果用空pad不知道会有什么后果？
3.3V和12V共用一个pad，12V的目的就是为了击穿MOS，但是用完12V之后，3.3V就必须得有ESD

denverwang

我去查了一下 SMIC 0.35um, login SMIC Now
有 High Voltage process 3.3V/18V
So IO should be there

justfordownload

我忘记说了，core我用的是smic35 logic工艺，其他pad类型都是数字的，不可能为了一个12V，就把其他IO都换高电压工艺的

[ 本帖最后由 justfordownload 于 2009-3-20 21:09 编辑 ]

denverwang

這樣思考邏輯就很奇怪了, 既然有 high voltage 的需求, 為何不換既有 foundry 提供3.3/18 process?
像我要做 RS485 into SMIC0.13um, 我問SMIC CE, 沒有提供, 那我怎敢用一般 process 3V/5V 做呢.
我們 IC design house 不需冒這 risk 的, 除非像以前我在UMC, 用自己的 "free" wafer 隨便 try...

semico_ljj

原帖由 justfordownload 于 2009-3-20 17:10 发表

                               
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不是发paper，我们要准备流片，如果用空pad不知道会有什么后果？
3.3V和12V共用一个pad，12V的目的就是为了击穿MOS，但是用完12V之后，3.3V就必须得有ESD

为什么这么设计呢？

justfordownload

里面绝大多数是数字电路，只有一块PROM是模拟电路，PROM编程电压需要12V左右，由于时间紧迫，重新设计不太可能了，所以只能在IO上想办法