请教 关于LDO的问题

Jevil

应该是系统稳定性问题吧，楼上的说的对，你的相位欲度，是全负载下的吗，LDO的稳定性是会跟随负载变化的哦，输出电流越大，PMOS的内阻越小。
仿真的时候要保证空载，1%负载和满负载下系统都稳定哩，可能你的欲度在小电流下系统稳定，但在大电流下未必哦，先仿仿看。^_^

dengqin

相位裕度随负载电流变化，电容的esr也影响相位裕度。估计大电流下相位裕度不够吧。

USTM

原帖由 hdqkwr 于 2009-2-19 12:52 发表

                               
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LDO的Load regulation 主要与环路增益，输出电阻有关，与环路增与成反比，与输出电阻成正比。
你的70度的phase margin 是整个环路的吗？
而你跑了足够多的工艺角，而且都有70度的phase margin?即在所有的情况下都是 ...

首先,非常感谢你的回复.

其次,基准无振荡现象,LDO输出环路PM70度是在25摄氏度tt状态下,ESR电阻为50毫欧,电流为150mA.现发现问题:25摄氏度时ff,fs,sf等corner下PM变化不大,但是在ss,PM只有40度,估计这就是问题所在.

现想请教一个问题:通常情况下,做仿真各位都在什么温度状态下仿了了哪些工艺角?
我通常是在高温下仿真ss,低温下仿真ff,25摄氏度下仿真tt.

最后我的补偿依赖esr电阻,但我的产品要求是输出负载必须要有一个1uF的陶瓷电容,所以我设定ESR电阻为50毫欧.

USTM

原帖由 Jevil 于 2009-2-20 10:24 发表

                               
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应该是系统稳定性问题吧，楼上的说的对，你的相位欲度，是全负载下的吗，LDO的稳定性是会跟随负载变化的哦，输出电流越大，PMOS的内阻越小。
仿真的时候要保证空载，1%负载和满负载下系统都稳定哩，可能你的欲度在小 ...

首先,非常感谢你的回复.

其次,相位欲度,写错了,别欲念太深了.(呵呵,玩笑而已,勿见怪).

然后,想请教一个问题,输出电流变化对于输出环路带宽是什么影响?

icsb

原帖由 USTM 于 2009-2-20 18:28 发表

                               
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首先,非常感谢你的回复.

其次,相位欲度,写错了,别欲念太深了.(呵呵,玩笑而已,勿见怪).

然后,想请教一个问题,输出电流变化对于输出环路带宽是什么影响?

负载电流越大，带宽越小。
corner的话 你写个脚本文件  一般MOS的tt ss ff sf fs 温度的-45 27 125 电容的tt ss ff 外加电源  估计150个左右的corner最好都跑一下，这次你的工艺可能偏在ss很有可能的

另外，你把负载电流设为一个变量，然后利用spectre中的parameter 分析就可以看到PM和负载电流的关系
补偿用电容esr的话，esr应该比较大，最好换个类型的，陶瓷的太小，因为你的零点肯定在GBW外面，不知道你是怎么取得70的PM的
而且这种补偿方法过时了 overshoot太大，纹波不好

[ 本帖最后由 icsb 于 2009-2-21 00:20 编辑 ]

USTM

原帖由 icsb 于 2009-2-20 21:13 发表

                               
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负载电流越大，带宽越小。
corner的话 你写个脚本文件  一般MOS的tt ss ff sf fs 温度的-45 27 125 电容的tt ss ff 外加电源  估计150个左右的corner最好都跑一下，这次你的工艺可能偏在ss很有可能的

另外，你 ...

我用的内外补偿的方式,内部用零点补偿的方式,外部再加电容补偿,不是单纯的只靠外部补偿.

电容是因为spec要求就是这个样子,没法改.

flying591

有1u的陶瓷带50m的电阻？

USTM

原帖由 flying591 于 2009-2-21 21:27 发表

                               
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有1u的陶瓷带50m的电阻？

一般就几毫欧,不超过10毫欧,但是为了严酷点,用的 50毫欧

vipwl

现象基本可以判断是稳定性不够导致。

你的仿真应该更全面些，陶瓷电容的esr电阻这个值是随着温度跟频率变化的，仿真应尝试覆盖5m到100m。
如果在所有仿真条件下最小相位裕度40度的话应该是可以满足稳定性要求的，后仿真保守估计降低10度左右。补偿方式很重要，你内部补偿用的什么方法，无论是VCCS或者利用super follower技术的补偿，都会有引入另外的内部环路，可以从补偿引入的内部环路看看小环是否存在稳定性问题。
仿真波形也能暴露很多问题，比如看看gain曲线是否平滑无小尖刺翘起；gain margin是否足够等等。

祝好运。

vipwl

补充一下，你ss+高温，ff+低温是比较具有经验性的仿真条件，从电路速度角度讲这是两个极端点，但是做产品的话尽量仿真条件更多一下，特别是在电路经验不是太充分的情况下。多仿真条件下可以使用vsde仿真，能缩短批量仿真时间，你可以试试。仿真中最好考虑PAD 以及 bonding wire的影响来尽量模拟实际电路情况。

祝好运。