低噪声放大器（应用于Wireless Keyboard/Mouse Bluetooth），比较值得研究

lvemilylvemily · 发表于 2009-2-15 19:48:24

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看到一个差分的LNA，感觉有点怪（可能是我孤陋寡闻），输入差分NMOS源端并没有接电感，而是直接接到偏置电流源了，不知道这和经常使用的源简并电感LNA相比有什么区别。
是不是这样节约了芯片面积，还是？？？如果这样的话是不是应该在输入端外接电感实现阻抗匹配的？希望大牛们都来看看，提出自己想法。

lvemilylvemily · 发表于 2009-2-15 22:18:32

哦，大牛们怎么不说句话啊，怎么说这个电路也是老外设计的啊！

intercon · 发表于 2009-2-15 22:33:01

这有啥奇怪的，并不是源端接电感的放大器才叫低噪放的

lvemilylvemily · 发表于 2009-2-15 22:52:36

原帖由 intercon 于 2009-2-15 22:33 发表

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这有啥奇怪的，并不是源端接电感的放大器才叫低噪放的

主要是想知道不接电感和接电感有啥优缺点，因为一家公司的两款芯片，芯片中的LNA之间唯一的区别就在于有无电感了。

sycorc110 · 发表于 2009-2-16 23:12:35

学习中！

ray_231 · 发表于 2009-2-19 23:06:23

谢谢楼主啦

大大山 · 发表于 2009-2-22 12:34:42

想从ASIC转到射频电路，大家有什么见意

moorehuang · 发表于 2009-2-22 13:08:29

电感主要有两个作用，一是source degeneration，提高线性；二是给输入阻抗提供实部，方便匹配到50欧姆。
但这些我个人觉得都不是必须的，如果线性够好，外面的匹配网络肯定也是能提供所需的匹配的，电感也就不是那么必要了。
有很多是用bonding wire做电感

snowwolf517 · 发表于 2009-2-26 12:44:50

我不太同意楼上的说法。
对于RFIC来说，50欧姆匹配是肯定需要的，否则S11参数不可能达标。如果想通过外接匹配电路的方式的话，如果使用电阻，就会引入额外的热噪声。
Thomas Lee有一篇论文：《A 1.5V 1.5GHZ CMOS LOW NOISE AMPLIFER》，比较经典。
里面从匹配角度开始，比较了四种拓扑结构，最终采用了Inductive Source Degeneration的结构。这种方法的一个缺点是只能用于窄带LNA。后来又有许多文章在这种结构的基础上，添加诸如resistive shunt and feedback 的结构，来实现宽带的LNA。
我现在也在做RF LNA，以上是个人意见，希望大家批评指正。

tu_yjq123 · 发表于 2017-3-19 12:28:42

多谢。。。。

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