设为首页收藏本站

eetop公众号

创芯大讲堂

创芯人才网

切换到宽版

手机号码，快捷登录

创芯云服务 : 创芯大讲堂 | 创芯人才网 | 数字IC职业培训 EETOP诚邀线上IC培训讲师!

搜帖子

EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)»论坛 › IC 设计及制造（半导体、微电子） › Analog/RF IC 设计 › Analog/RF IC 设计讨论 › 关于gate oxide capcitor

发新帖

查看: 2276|回复: 4

关于gate oxide capcitor

发表于 2009-1-20 08:33:49 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

x

最近在做高压的process，发现高压的gate oxide cap比低压的小，不知道什么原因，请哪位大侠指教！

相关帖子

回复

发表于 2009-1-20 09:35:30 | 显示全部楼层

栅氧变厚了，c反比于介质厚度。

EETOP创芯人才网职位发布入口

回复支持反对

发表于 2009-1-20 16:52:13 | 显示全部楼层

呵呵，该回答言简意赅，强

回复支持反对

发表于 2009-1-26 21:06:04 | 显示全部楼层

严重同意

EETOP创芯人才网职位发布入口

回复支持反对

发表于 2009-1-27 22:32:14 | 显示全部楼层

这个要和衬底的掺杂类型有关吧？

EETOP创芯人才网简历投递入口

回复支持反对

发新帖

高级模式

B Color Image Link Quote Code Smilies

您需要登录后才可以回帖登录 | 注册

本版积分规则回帖后跳转到最后一页

关闭

站长推荐 /2

小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-23 19:42 , Processed in 0.019606 second(s), 8 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号

创芯大讲堂

创芯人才网

快速回复 返回顶部 返回列表