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查看: 15750|回复: 27

请教一下 为何在带隙电路中多用PNP 而 不用NPN

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发表于 2009-1-10 16:11:28 | 显示全部楼层 |阅读模式

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知道的顶一下
发表于 2009-1-10 21:01:23 | 显示全部楼层
因为PNP和标准CMOS工艺兼容
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发表于 2009-1-10 21:09:22 | 显示全部楼层
这个是工艺的问题,pnp管可以在标准cmos工艺中制造啊,npn不行
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发表于 2009-1-11 00:10:22 | 显示全部楼层
楼上正解
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发表于 2009-1-11 07:35:34 | 显示全部楼层
but now almost all the sub-0.25u technology is using deep n well technology, means we can use npn now? which one is better from noise and matching perspective?
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发表于 2009-1-11 11:45:27 | 显示全部楼层


   
原帖由 adanshen 于 2009-1-11 07:35 发表
but now almost all the sub-0.25u technology is using deep n well technology, means we can use npn now? which one is better from noise and matching perspective?


不知道深阱在体内的一致性如何呢
ps:有几个语法错误
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发表于 2009-1-11 12:19:41 | 显示全部楼层


   
原帖由 tgaayd 于 2009-1-11 11:45 发表

不知道深阱在体内的一致性如何呢
ps:有几个语法错误


做deep-well会增加称本吗?还有,用了NPN,还能叫标准CMOS工艺吗?似乎有论文说这是BiCMOS了.
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发表于 2009-1-12 01:01:34 | 显示全部楼层
标准CMOS工艺中,为了和CMOS工艺结合,大多数使用PNP;在BiCMOS中,好像多使用NPN。
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发表于 2009-1-12 15:54:35 | 显示全部楼层
课本上都有介绍,工艺问题了
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发表于 2009-1-12 16:20:58 | 显示全部楼层
标准CMOS工艺中,为了和CMOS工艺结合,大多数使用PNP
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