求教：垂直NP型二极管的N+节的节深对ESD能力

andyjackcao

大家好，

我有个疑问是：

垂直二极管的N+的节深对NP型的二极管的ESD过电流能力有什么影响？

十分感谢

fuyibin

原帖由 andyjackcao 于 2009-1-6 21:24 发表

                               
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大家好，

我有个疑问是：

垂直二极管的N+的节深对NP型的二极管的ESD过电流能力有什么影响？

十分感谢

据说侧壁过的电流多
电流总是找阻抗最低的通路跑的

duduxy

current density increases with shallow junction.

andyjackcao

原帖由 fuyibin 于 2009/1/7 09:52 发表

                               
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据说侧壁过的电流多
电流总是找阻抗最低的通路跑的

谢谢你的回复
我这个二极管就是一个垂直的PN结

andyjackcao

原帖由 duduxy 于 2009/1/7 10:49 发表

                               
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current density increases with shallow junction.

if the diode is vertical, not the latent

does the same case exist as well?

carffy

原帖由 andyjackcao 于 2009-1-6 21:24 发表

                               
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大家好，

我有个疑问是：

垂直二极管的N+的节深对NP型的二极管的ESD过电流能力有什么影响？

十分感谢

能具体说一下这个NP型二极管的结构吗，是在CMOS工艺中实现的吗(N+-Pwell/Psub diode)？如果是在MOS工艺中，一般都用P+-Nwell结。不过我觉得应该会有影响吧，因为the edges contribute conductance，不过不确定。以前没考虑过，因为在CMOS工艺中结深是固定的，不能随意改，如果要改，要多一张mask多一次implant，钱啊！有条件可以用TCAD模拟一下，或是直接Tapeout看实际结果，呵呵！

andyjackcao

原帖由 carffy 于 2009/1/9 09:45 发表

                               
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能具体说一下这个NP型二极管的结构吗，是在CMOS工艺中实现的吗(N+-Pwell/Psub diode)？如果是在MOS工艺中，一般都用P+-Nwell结。不过我觉得应该会有影响吧，因为the edges contribute conductance，不过不确定。 ...

谢谢你的回复
现在我们准备做一个分离PN结二极管
在定义PN结二极管参数时，想定性知道PN结 结深的影响；
现在我认为，由于电流流过PN结的不均匀性，以及电流方向性，
如果PN结太浅，会造成侧向电阻过大，从而不利于散热
一点想法