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绪论…………………………………………………………………...………... …. .. 2
第一章 半导体晶体结构和缺陷…………………………………………… …..……2
1.1 半导体的晶体结构……………………………………………….………2
1.2 晶体的晶向与晶面……………………………………………….………4
1.3 半导体中的缺陷………………………………………………….………6
第二章 半导体的能带与杂质能级……………………………………………….…7
2.1 半导体中电子共有化运动与能带……………………………..……….…7
2.2 半导体中的E( k ) ~ k 关系 有效质量和k 空间等能面……………....…11
2.3 Si、Ge 和GaAs 的能带结构………………………………………...……14
2.4 本征半导体和杂质半导体………………………………………………15
第三章 半导体中的平衡与非平衡载流子……………………………………….…19
3.1 导带电子浓度与价带空穴浓度…………………………………………19
3.2 本征载流子浓度与本征费米能级………………………………….……21
3.3 杂质半导体的载流子浓度………………………………………………23
3.4 简并半导体及其载流子浓度……………………………………………26
3.5 非平衡载流子的产生与复合 准费米能级…………………..…………28
3.6 非平衡载流子的寿命与复合理论………………………….……………29
第四章 半导体中载流子的输运现象………………………………………………32
4.1 载流子的漂移运动与迁移率……………………………………………32
4.2 半导体中的主要散射机构 迁移率与平均自由时间的关系…...………33
4.3 半导体的迁移率、电阻率与杂质浓度和温度的关系……………………36
4.4 载流子的扩散运动 爱因斯坦关系……………………………….……40
4.5 连续性方程………………………………………………...……………42
第五章 半导体表面…………………………………………………………………42
5.1 半导体表面和表面能级…………………………………………………42
5.2 Si-SiO2 系统中的表面态与表面处理……………………………………43
5.3 表面能带弯曲与反型…………………………………………....………45
5.4 表面复合……………………………………………………...…………46 |
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半导体物理1.pdf
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