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楼主: mekenny

请问:关于MIM电容和PIP电容

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发表于 2011-3-30 10:34:12 | 显示全部楼层
回复 5# nesta


    MOM 电容是什么电容?
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发表于 2011-3-30 11:04:18 | 显示全部楼层
metal与metal的寄生电容
包括横向纵向
提取时,模型比较复杂,不太准
但不需要额外层
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发表于 2011-4-4 21:16:26 | 显示全部楼层
mom may be a good choice
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发表于 2011-4-18 16:15:08 | 显示全部楼层
MOM自主性比较高,在考虑周全的layout条件下,在yeild保证的前提下,可以做到12bit的精度的匹配。
在.18及以下的工艺优势尤为明显。
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发表于 2011-4-18 16:31:46 | 显示全部楼层
没有想到这之中还有这么多说法呀,想知道MOM是什么电容,有没有人详细的介绍一下呀?
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发表于 2011-4-20 17:45:57 | 显示全部楼层
看具体的工艺,单纯比较对忒对特定的设计意义不大。有些即便是某个特性优,但是带来的好处实在微不足道,反之要付出面积成本,也不见的合适。

semiconductor_2.part01.rar

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semiconductor_2.part02.rar

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semiconductor_2.part03.rar

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发表于 2011-4-21 09:11:54 | 显示全部楼层
MOM = metal oxid metal , 通常是横向,纵向之间是insulatord的
MIM = metal insulator metal , 为了做大单位电容,需要额外工艺
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发表于 2011-4-21 12:42:08 | 显示全部楼层
回复 21# nool

单位面积电容C=ε0*εr/t ,oxid 的εr=4,而insulator 一般小于4,所以mom电容要比mim大,除非厚度t可以定制。或许有εr大于4的insulator ?烦请提供工艺文件参考一下
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发表于 2011-4-21 21:52:14 | 显示全部楼层
楼上的资料不全,没有办法解压缩~~~~~~~~~
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发表于 2011-8-19 14:55:50 | 显示全部楼层
请问各位,pip, mim,mom电容分别可以做到几位?
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