北京大学电路设计实习

zfaaqq · 发表于 2008-10-27 15:22:05

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北京大学cadence实验
七个包，没办法，发不上去，只好压成这样

[ 本帖最后由 zfaaqq 于 2008-10-29 15:43 编辑 ]

zfaaqq · 发表于 2008-10-28 20:11:48

本课程中使用CSMC双硅三铝混合信号工艺，主要的设计层包括
􀁺 TB：tub，n阱，作为pmos器件衬底
􀁺 TO：Thin Oxide，有源区，作为mos的源漏区
􀁺 GT：gate，多晶硅1，作为mos栅极
􀁺 SP：P＋注入区
􀁺 SN：N＋注入区
􀁺 W1：接触孔，金属1到多晶硅和有源区的接触孔
􀁺 A1：铝1，第一层金属
􀁺 W2：通孔1，金属1和金属2的接触孔
􀁺 A2：铝2，第二层金属
􀁺 W3：通孔2，金属2和金属3的接触孔
􀁺 CP：bond pad，pad开孔
􀁺 IM：第二层多晶硅电阻阻挡层
􀁺 PC：poly Cap，用作多晶硅电容上极板和多晶硅电阻的第二层多晶硅
􀁺 PT：p tub，p阱，作为nmos器件衬底
􀁺详细的工艺信息请参考设计规则（在CSMC05MS/docs目录下）

zfaaqq · 发表于 2008-10-28 21:44:48

本课程中使用CSMC双硅三铝混合信号工艺，主要的设计层包括
􀁺 TB：tub，n阱，作为pmos器件衬底
􀁺 TO：Thin Oxide，有源区，作为mos的源漏区
􀁺 GT：gate，多晶硅1，作为mos栅极
􀁺 SP：P＋注入区
􀁺 SN：N＋注入区
􀁺 W1：接触孔，金属1到多晶硅和有源区的接触孔
􀁺 A1：铝1，第一层金属
􀁺 W2：通孔1，金属1和金属2的接触孔
􀁺 A2：铝2，第二层金属
􀁺 W3：通孔2，金属2和金属3的接触孔
􀁺 CP：bond pad，pad开孔
􀁺 IM：第二层多晶硅电阻阻挡层
􀁺 PC：poly Cap，用作多晶硅电容上极板和多晶硅电阻的第二层多晶硅
􀁺 PT：p tub，p阱，作为nmos器件衬底
􀁺详细的工艺信息请参考设计规则（在CSMC05MS/docs目录下）