求助：帮忙分析这个LDO

standup · 发表于 2008-9-29 01:54:27

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用于LDO，要求输出电压3V，驱动电流50mA，请比较两者的优劣。
我觉得由于A驱动能力较弱，而B是PMOS输入，输出电压较低，可以满足较大的驱动电流，不知是否正确。其他的比较请各位指点

refugee · 发表于 2008-9-29 21:53:48

这两个LDO结构上是一样的，所以大的差异并没有。

我觉得差异来自于运放吧。一个是nmos输入的，一个是pmos输入的。也就是噪音，共模输入范围这些的差异。处于对LDO应用的考虑（输出范围），两个都差不多

xdbb · 发表于 2008-9-29 22:04:10

the psrr of a is higher than b

zxj_abc · 发表于 2008-9-29 23:22:58

第一级有个输入输出范围，会影响第二级的工作区间
psrr不一样

standup · 发表于 2008-10-2 16:45:25

refugee能不能说说nmos输入和PMOS输入的两级运放，有什么区别吗？我只知道PMOS噪声小，增益小，电压较低时采用，还有其他的吗？能否深入分析下？
另外，A和B的PSRR究竟那个高呢？

[ 本帖最后由 standup 于 2008-10-2 16:47 编辑 ]

guonanxiang · 发表于 2008-10-6 10:39:13

nmos pmos输入共模范围不一样，输出共模范围差不多，根据你的应用光考虑这个的话两种没什么区别
环路增益越大，LDO对电源的psrr性能越好

syracuse · 发表于 2008-10-6 12:17:02

我觉得仅仅是psrr不同而已，驱动能力没什么不同吧，因为第二级用的是相同的pmos。

stoneduan · 发表于 2008-10-6 13:19:34

驱动能力只与第二级pmos有关

guonanxiang · 发表于 2008-10-6 15:36:01

原帖由 walker5678 于 2008-10-6 14:19 发表

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两个电路的PSRR到底那个好？

低频下PSRR主要由环路增益决定，如果两个环路增益设计的差不多，那么PSRR性能也差不多。

高频时还存在电源纹波通过寄生电容直接耦合到输出的问题，而这个耦合主要是通过驱动极 ...

按照你的说法，A中如果VDD通过Cgd耦合到pass管的gate不是正好有助于稳定pass管的Vgs吗？

ggy168 · 发表于 2008-10-7 01:49:09

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ggy168 ggy168 当前离线积分 80 头像被屏蔽	发表于 2008-10-7 01:49:09 \| 显示全部楼层提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽
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