【SCR】结构与【Snapback】结构问题请教---ESD

andyjackcao · 发表于 2008-8-24 19:49:11

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各位前辈好,
SCR 于NMOS做的NPN ESD器件,都是利用击穿CMOS工艺寄生的三极管来放电,他们都与工艺相关性很大，那谁与工艺相

关性更大呢?

在SCR中,有源区上的CONTACT与阱的间距,可以采用最小间距;

在NMOS管中，Drain上的CONTACT的间距有比较严格的要求;

那我是不是可以这样理解:

利用NMOS管来做的NPN放电结构与工艺的相关性,比SCR结构对工艺的相关性更大呢?

gmj888 · 发表于 2008-8-25 12:21:36

同感,有没有人??

piao · 发表于 2008-9-4 22:36:54

哪里有ESD大牛啊

ZFH1986 · 发表于 2010-4-14 10:36:15

没效果

zhou_charles · 发表于 2014-10-31 10:48:16

应当是这样的！

wyliuse · 发表于 2014-11-1 08:57:00

两者的放电原理不一样，要具体分析。NMOS的漏拉开是为了开启均匀性。SCR可以最小尺寸，因为其放电效率高，可靠性好。

江湖人92 · 发表于 2019-1-21 18:46:18

受教了！

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