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请问高人如何改善此Voltage regulator的load regulation??

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发表于 2008-6-30 23:46:13 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本电路为P管输入差分结构的折叠式共源共栅运放构成的电压调整器.OP的输出控制一(W/L)=1000u/2u的drift PMOS(M15)或者(W/L)=1000u/2u的PDMOS与电阻反馈网络一起构成此Voltage regulator.在M15的S端得到我们需要的稳定电压VCC.此电压为芯片内部的模拟部分供电.内部电路以500k的频率工作,且会对VCC拉2~3mA的电流毛刺,因此我们以图1中的PULSE电流源模拟此负载条件(Tr=Tf=5n,Tw=100n,f=500K,I=3mA).OP的Vin positive接bandgap提供的基准电压1.238V.从图2我们可以看到M15分别为Pdrift MOS和PDMOS的瞬态仿真波形.从图中我们看到Pdrift MOS的波形在电流源I10的跳变过程中,VCC会产生大而宽的毛刺(是否为"过冲?"),其最大值甚至达到接近6V,而且在不同的温度和corner下它会去到更高的值,从而可能损坏电路中以VCC供电的某些5V MOS管.但如果我们将M15换成DMOS管,则VCC上的毛刺会减小很多(如图2中所示).但由于工艺的限制,本设计不允许使用dmos而只能使用drift mos.于是对此OP在空载和3mA负载下分别做ac仿真,如图图3,图4所示.从图3,图4可以发现,它们在空载和重载(3mA)时的ac特性相差不大.那么是什么原因使它们的load regulation差别如此大呢?需要改善drift mos 输出管结构的哪些参数从而使其得到更好的load regulation性能呢?
VDD.gif
VDD_tran.jpg
VDD_AC.jpg
VDD_AC3A.jpg
 楼主| 发表于 2008-7-1 08:31:45 | 显示全部楼层
高人都哪去了啊???!!!!
 楼主| 发表于 2008-7-1 12:54:20 | 显示全部楼层
自己顶一个!!!!!
 楼主| 发表于 2008-7-1 22:03:43 | 显示全部楼层
在线等,高人快现身吧!!!
发表于 2008-7-2 22:53:29 | 显示全部楼层
1. 首先,你所指的不是Load  regulation,而是load current-step transient response
2. 要改善此特性,可以在输出端加电容,增加系统带宽,并且也和负载电流的变化速度(你所假定的5ns)有关。
供参考!
发表于 2008-7-3 05:40:42 | 显示全部楼层
goodgoodgoodgoodgoodgoodgoodgood
发表于 2008-7-3 05:46:59 | 显示全部楼层
goodgoodgoodgoodgoodgoodgoodgoodgood
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