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原帖由 lyfztz 于 2008-5-23 19:21 发表 登录/注册后可看大图 根据我的经验这两层ESD IMP是打在两种不同device的drain上,来调节其drain breakdown voltage,就就是ESD触发电压。不知你可否将相关的layout说明上传上来,这样可以更准备的判断。
原帖由 charleyzhang 于 2008-5-25 20:20 发表 登录/注册后可看大图 ESD器件的目的就是泄放输入的能量,因此其击穿电压会比内部电路低
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