请教：不同工艺下最基本MOSFET的Cadence layout

Fitz · 发表于 2008-5-20 16:34:06

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我刚刚开始学习Cadence layout，很多地方不太明白，恳请指教。

比如最基本的怎么画一个MOSFET，

有的资料用0.25u工艺，画layout的顺序是：NWELL layer, DIFF layer, poly layer, PIMP layer, NIMP layer, CONT layer, metal layer。

有的资料用0.5u工艺，画layout的顺序是：pselect layer, active layer, poly layer, CONT layer, metal layer。

为什么同样的MOSFET，不同的画法？

另外问几个基本的问题：画一个MOSFET，沟道、金属、poly的长短粗细怎么确定呢？via、cont的大小怎么确定呢？W/L怎么体现出来呢？谢谢！

lindychen · 发表于 2008-5-20 17:32:01

你说的是那些是连接顺序吧
具体的你去看drc.com和lvs.com文件，
画法规则看各种工艺的desugn rule。
最直接的办法是导入该工艺的standcell库，就可以看到各种基本单元的画法了。

semico_ljj · 发表于 2008-5-21 17:46:59

看PDK吧！

请教：不同工艺下最基本MOSFET的Cadence layout

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