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楼主: wzj78111

cadence UltraSim Simulator User Guide

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发表于 2011-9-13 12:14:35 | 显示全部楼层
回复 1# wzj78111


    感謝分享 !!!
发表于 2011-10-6 10:41:35 | 显示全部楼层
正需要這個,spectre實在太慢了.
发表于 2012-9-18 16:07:04 | 显示全部楼层
看看。。。。。。
发表于 2012-10-25 21:53:47 | 显示全部楼层
楼主您好!非常感谢您的分享,Ultrasim的确是一个很强大的仿真工具。小弟最近在研究有关于transisitor device reliability 方面的问题,问题背景如如下:随着半导体工艺缩到40纳米32纳米28纳米,栅氧化层变的越来越薄,MOS器件的寿命越来越依赖于电源电压和电路的工作状态。Relxpert正是这样的一个工具,可以评估MOS器件正常工作条件下若干年后的性能衰减情况。它可以产生衰减后的模型,用此模型仿真,可以得到电路性能,器件阈值电压,饱和电流等参数的变化,而且还可以与原模型对比。这些信息有助于工程师评估芯片的寿命,从而减小性能的衰减

虽然在Ultrasim里面有有关Reliability Simulation方面的仿真,但是好像不是很强大,只是Ultrasim的一个附加的模块,没有像网上说的RelXpert这个专门针对衰减模型的仿真器功能全面。但是令人无法理解的是,为什么在网上怎么找都找不到RelXpert的类似于User Guide的使用文档,在www.cadence.com上面好像也只是提及到RelXpert这样一个仿真器,也说明了他的具体的用途,但是好像却没有帮助文档。所以想求助楼主您,有没有这方面的资料可供参考。
感激不尽啊!!!急需啊!!!!!!
发表于 2012-10-25 21:54:40 | 显示全部楼层
楼主您好!非常感谢您的分享,Ultrasim的确是一个很强大的仿真工具。小弟最近在研究有关于transisitor device reliability 方面的问题,问题背景如如下:随着半导体工艺缩到40纳米32纳米28纳米,栅氧化层变的越来越薄,MOS器件的寿命越来越依赖于电源电压和电路的工作状态。Relxpert正是这样的一个工具,可以评估MOS器件正常工作条件下若干年后的性能衰减情况。它可以产生衰减后的模型,用此模型仿真,可以得到电路性能,器件阈值电压,饱和电流等参数的变化,而且还可以与原模型对比。这些信息有助于工程师评估芯片的寿命,从而减小性能的衰减

虽然在Ultrasim里面有有关Reliability Simulation方面的仿真,但是好像不是很强大,只是Ultrasim的一个附加的模块,没有像网上说的RelXpert这个专门针对衰减模型的仿真器功能全面。但是令人无法理解的是,为什么在网上怎么找都找不到RelXpert的类似于User Guide的使用文档,在www.cadence.com上面好像也只是提及到RelXpert这样一个仿真器,也说明了他的具体的用途,但是好像却没有帮助文档。所以想求助楼主您,有没有这方面的资料可供参考。
感激不尽啊!!!急需啊!!!!!
发表于 2012-11-6 18:24:25 | 显示全部楼层
正需要,  谢谢分享
发表于 2012-11-6 22:29:42 | 显示全部楼层
谢谢   下了      拿走
发表于 2012-11-7 00:32:22 | 显示全部楼层
感谢分享
发表于 2012-11-7 14:07:33 | 显示全部楼层
下载看看。
发表于 2012-12-4 17:05:36 | 显示全部楼层
正需要这个东西,eetop真好
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