看了楼主给出的参数:
個人一点小小见解
Ibais=10uA; PMOS W=4.7u L=0.13u (ratio is about 36.2)
以及若I=5uA; PMOS W=9u L=0.13u (ratio is about 69.2)
根据经验公式和结果,若Vgs-vth设置在200mv左右,单位W/L MOS管承载电流大约在1.2uA左右;现PMOS W/L is about 36.2 和69.2 times, 因此你的MOS 应该不是工作在饱和区(Si 和Mi),\想必应该工作在Wi工作区域, VGS-Vth肯定比较小. 请查阅 .list文件region.....
若所有管子均工作在Saturation Region:典型Av=Gm*Ro=(2*Ve*L)/(Vgs-Vth)
因此,楼主要想获得较大的Gain 可以增加L和减小Vgs-Vth获得,但Vgs-Vth设的太小,又会涉及其他考虑点....速度和noise等等,因此需要折中考虑来定义你的Vgs-Vth的数值大小……
当Vgs-Vth不能取太大时,那你需要怎么办?现在楼主明白了L一般不取工艺所提供最小Size的原因了吗?
当L确定适当数值后,W也可适当的定下,但W取多少合适呢,可通过电流和match等等来衡量…… |