一般 mos 电容受 Vgs影响 一般 moscap 都对power/ Gnd ,但 ADC or switch Cap 的电容需独立 一般不是 PIP 就是 MIM. Mos 电容 : 单位面积电容 > PIP MIM . 且 5 corner, 有些人认为 精度不如pip, 但如果用 “同电容” 去跑 , 你会发现 mos 电容比 pip 准. 且 mosmodel 比较细, Nmos_cap 变形的 nmos type 电容, 或多一层, 一般 W L可画比较大 . 还有种 zero Vth ( native )MOS 有些会拿来当 mos 电容 . 变容器 : RF 用 PIP MIM 都只 TT mix max . 一般 MIM 单位面积又比 pip 小一些, 但有些工艺可调, MIM 或 PIP 多需要一层 mask 把 IMD 弄薄一些, 一般 pip 可耐 10v . mim 就不一定., 主要看中间那层 , 0.25um 下多 MIM 没 PIP .
MOM 一般是不需多 mask , 但是 metal 跟 metal 间, 单位面积下电容很小 , 如果当 ADC cap_dac 一般 会画 fishbone 方式 . 另外有些拿 MOM 当高压电容 . 如果 powerIC mom 有的可耐 100v .
|