有仿真过耗尽型MOS管的吗？

ai619 · 发表于 2012-9-13 18:50:30

回复 10# greenping

你好，我最近也在用CSMC的耗尽管做基准，
仿真的效果还不错，包括3V-5V的电源调整，全工艺角仿真达到60ppm，不知道LS电路结构是一样的吗？还是仿真效果可以，工艺厂商的原因导致流片效果差？

ai619 · 发表于 2012-9-13 18:53:01

回复 11# ai619

外接图片编辑器编辑截图_2.bmp

zjwu508 · 发表于 2012-9-13 20:00:55

我用CSMC做了一次E/D NMOS基准结构，仿真效果很好，实际测试结果很一般，这种结构的温度特性，用仿真结果不准，主要是温度模型建的不好。如果有人也用这个结构做过，我们可以交流交流

ai619 · 发表于 2012-9-13 20:22:15

回复 13# zjwu508

你的意思是说CSMC模型不够精准？

thomas66 · 发表于 2012-9-13 22:05:12

请问反相提图，照片上耗尽型管与增强型管有何区别？

griffinseu · 发表于 2012-9-14 12:59:35

学习，学习。

atylon · 发表于 2012-9-16 09:32:40

阈值本身没有太大意义，通常加工厂都有能力按用户要求调整，耗尽管与增强管的关键区别就是阈值电压，N管改成负阈值就可以了

苏AE86 · 发表于 2020-12-10 14:33:30

增强行的管子和耗尽型、本征型的管子电流公式一样吗？只是有Vth的差别？

健行渐远 · 发表于 2023-12-18 16:21:54

看看

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